[發(fā)明專利]一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線

在審

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• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110098476A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷光強(qiáng);李鵬凱;游長江;鄧建華;楊遠(yuǎn)望
• 申請（專利權(quán)）人: 成都電科慧安科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q15/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211
• 代理人: 毛光軍

1.一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：包括矩形基片集成波導(dǎo)腔（1），所述矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）上固定設(shè)置有耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）、SMA連接器（6）和非諧振槽（2），所述耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）的數(shù)量為三個(gè)，所述耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）縱向一字排布在矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）的中部，用于將矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）分成兩個(gè)TE₁₁₀模式諧振腔（4）；所述SMA連接器（6）和非諧振槽（2）均位于其中一個(gè)TE₁₁₀模式諧振腔（4）內(nèi)，所述非諧振槽（2）位于耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）與SMA連接器（6）之間用于將該TE₁₁₀模式諧振腔（4）分成兩個(gè)半模諧振腔（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）包括F4B-2介質(zhì)層（10），F(xiàn)4B-2介質(zhì)層（10）的上下兩面分別固定設(shè)置有上金屬層（8）和下金屬層（9），F(xiàn)4B-2介質(zhì)層（10）的四周均勻開設(shè)有呈矩形布置的腔體導(dǎo)電過孔（7），上金屬層（8）和下金屬層（9）通過腔體導(dǎo)電過孔（7）連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述F4B-2基板的相對介電常數(shù)為2.485，損耗角正切為0.0018，尺寸為80×80 mm²，厚度為6mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述腔體導(dǎo)電過孔（7）的直徑為1.6mm，腔體導(dǎo)電過孔（7）在矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）上縱向總長為51mm，橫向總長為49mm，橫向和縱向上任意相鄰兩腔體導(dǎo)電過孔（7）之間的間距均為3.2mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述SMA連接器（6）設(shè)置在距離右側(cè)縱向腔體導(dǎo)電過孔（7）中心5.3mm處。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述非諧振槽（2）為蝕刻在矩形基片集成波導(dǎo)腔（1）上的矩形槽，長度為29.4mm，寬度為2.65mm，所述非諧振槽（2）設(shè)置在距離右側(cè)縱向腔體導(dǎo)電過孔（7）中心15mm處。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基片集成波導(dǎo)濾波縫隙天線，其特征在于：所述耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）的直徑為2.4mm，任意相鄰兩耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）之間的間距為13.8mm，且耦合調(diào)整導(dǎo)電過孔（3）設(shè)置在距離左側(cè)縱向腔體導(dǎo)電過孔（7）中心24.6mm處。