[發明專利]邊緣吹掃裝置、基座系統及工藝腔室在審
| 申請號: | 201910400446.6 | 申請日: | 2019-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN111952233A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 吳鑫;鄭波;馬振國 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣 裝置 基座 系統 工藝 | ||
1.一種邊緣吹掃裝置,用于吹掃承載于基座上的基片的邊緣處,其特征在于,所述邊緣吹掃裝置包括:吹掃通道和氣源;其中,
所述吹掃通道的出氣口沿所述基座的周向設置,且所述出氣口的出氣方向相對于豎直方向朝向所述基座傾斜;
所述氣源用于向所述吹掃通道提供吹掃氣體。
2.根據權利要求1所述的邊緣吹掃裝置,其特征在于,所述出氣口的出氣方向沿水平方向;或者,所述出氣口的出氣方向相對于豎直方向向上傾斜或者向下傾斜。
3.根據權利要求1或2所述的邊緣吹掃裝置,其特征在于,還包括:進氣管路;
所述進氣管路連通所述吹掃通道和所述氣源,用于將來自所述氣源的吹掃氣體輸送至所述吹掃通道中。
4.根據權利要求3所述的邊緣吹掃裝置,其特征在于,還包括:
溫控結構;
所述溫控結構套置在所述進氣管路上,用于控制所述進氣管路中的吹掃氣體的溫度。
5.根據權利要求4所述的邊緣吹掃裝置,其特征在于,所述溫控結構包括:溫控管和控溫源,其中:
所述控溫源用于向所述控溫管提供控溫媒介,所述溫控管套置在所述進氣管路上,且所述溫控管內設置控溫媒介輸入管路和控溫媒介輸出管路。
6.根據權利要求4所述的邊緣吹掃裝置,其特征在于,所述溫控結構包括:套置在所述進氣管路上的控溫帶。
7.一種基座系統,其特征在于,包括:基座以及權利要求1-6任一項所述的邊緣吹掃裝置;其中,所述基座用于承載基片,所述邊緣吹掃裝置用于吹掃所述基片的邊緣處。
8.根據權利要求7所述的基座系統,其特征在于,還包括:環繞在所述基座周圍的邊緣環;
所述邊緣環的內周壁與所述基座的外周壁之間的環形間隙形成所述吹掃通道。
9.根據權利要求8所述的基座系統,其特征在于,所述邊緣環包括環形本體和設置在其頂部且朝向所述基座的環形凸臺,所述環形凸臺的下表面與豎直方向成角度設置。
10.根據權利要求9所述的基座系統,其特征在于,所述環形凸臺下端面的內邊沿不高于所述基片的上表面。
11.根據權利要求10所述的基座系統,其特征在于,所述環形凸臺的下表面、上表面均與豎直方向成90度角;
所述環形凸臺的下表面低于所述基片的上表面,所述環形凸臺的上表面高于所述基片的上表面。
12.根據權利要求11所述的基座系統,其特征在于,所述環形凸臺的上表面與所述基片的上表面之間的高度差的取值范圍在1.5mm~5mm。
13.根據權利要求7所述的基座系統,其特征在于,還包括環繞在所述基座周圍的第一邊緣環與第二邊緣環,所述吹掃通道設置在所述第一邊緣環與第二邊緣環之間,所述吹掃通道的出氣口位于不高于所述基片的上表面的位置處。
14.根據權利要求7-13任意一項所述的基座系統,其特征在于,所述基座的外徑大于所述基片的直徑。
15.根據權利要求14所述的基座系統,其特征在于,在所述基座的底部和側壁上設置有隔熱件和/或隔熱涂層。
16.一種工藝腔室,其內設置有用于承載基片的基座,其特征在于,還包括權利要求1-6任意一項所述的邊緣吹掃裝置,所述邊緣吹掃裝置用于吹掃所述基片的邊緣處。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





