[發(fā)明專利]一種非易失存儲器寫處理方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910400133.0 | 申請日： | 2019-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN111951854B | 公開（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張曉偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司;西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 非易失 存儲器 處理 方法 裝置 | ||
1.一種非易失存儲器寫處理方法，其特征在于，所述方法包括：
在對待處理存儲塊執(zhí)行寫操作時，確定所述待處理存儲塊的目標編程字線；
對所述待處理存儲塊的目標編程字線施加第一編程電壓；
在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第二編程電壓；其中，所述第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值小于第一預(yù)設(shè)值；
所述對所述待處理存儲塊的目標編程字線施加第一編程電壓之前，還包括：
確定所述目標編程字線的編程電壓補償量；所述第一編程電壓為：預(yù)設(shè)編程電壓與所述編程電壓補償量的差；
其中，所述目標編程字線包括邊沿字線和/或中間字線，所述邊沿字線的所述編程電壓補償量高于所述中間字線的所述編程電壓補償量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第二編程電壓；其中，所述第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值小于第一預(yù)設(shè)值之后，還包括：
在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第三編程電壓；所述第三編程電壓為：所述第二編程電壓與第一預(yù)設(shè)電壓增量的和；其中，所述第一預(yù)設(shè)電壓增量為：第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第二編程電壓；其中，所述第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值小于第一預(yù)設(shè)值之后，還包括：
在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第四編程電壓；所述第四編程電壓為：所述第二編程電壓與第二預(yù)設(shè)電壓增量的和，其中，第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值，與所述第二預(yù)設(shè)電壓增量不相等；且所述第二預(yù)設(shè)電壓增量不大于所述第一預(yù)設(shè)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3任一所述的方法，其特征在于，所述待處理存儲塊包括：64個字線WL，所述64個字線為從WL0到WL63排序的字線。
5.一種非易失存儲器寫處理裝置，其特征在于，所述裝置包括：
目標編程字線確定模塊，用于在對待處理存儲塊執(zhí)行寫操作時，確定所述待處理存儲塊的目標編程字線；
第一電壓施加模塊，用于對所述待處理存儲塊的目標編程字線施加第一編程電壓；
第二電壓施加模塊，用于在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第二編程電壓；其中，所述第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值小于第一預(yù)設(shè)值；
還包括：
編程電壓補償量確定模塊，用于確定所述目標編程字線的編程電壓補償量；所述第一編程電壓為：預(yù)設(shè)編程電壓與所述編程電壓補償量的差；
其中，所述目標編程字線包括邊沿字線和/或中間字線，所述邊沿字線的所述編程電壓補償量高于所述中間字線的所述編程電壓補償量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括：
第三電壓施加模塊，用于在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第三編程電壓；所述第三編程電壓為：所述第二編程電壓與第一預(yù)設(shè)電壓增量的和；其中，所述第一預(yù)設(shè)電壓增量為：第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括：
第四電壓施加模塊，用于在所述目標編程字線未完成寫操作的情況下，對所述目標編程字線施加第四編程電壓；所述第四編程電壓為：所述第二編程電壓與第二預(yù)設(shè)電壓增量的和，其中，第二編程電壓與所述第一編程電壓的電壓差值，與所述第二預(yù)設(shè)電壓增量不相等；且所述第二預(yù)設(shè)電壓增量不大于所述第一預(yù)設(shè)值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6-7任一所述的裝置，其特征在于，所述待處理存儲塊包括：64個字線WL，所述64個字線為從WL0到WL63排序的字線。
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