[發(fā)明專利]一種非易失存儲器讀處理方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910399741.4
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN111949556A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張曉偉;卜婧婧
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發(fā)明實施例提供了一種非易失存儲器讀處理方法及裝置，該方法包括：在對所述非易失存儲器執(zhí)行讀處理的情況下，驗證第一存儲頁的電平狀態(tài)；在所述第一存儲頁的電平狀態(tài)為低電平的情況下，從所述第一存儲頁中讀取數(shù)據(jù)，且，根據(jù)第一預(yù)設(shè)跳變值跳變到第二存儲頁，以驗證所述第二存儲頁的電平狀態(tài)；其中，所述第二存儲頁的第二存儲地址為：所述第一存儲頁的第一存儲地址與所述第一預(yù)設(shè)跳變值的和；所述第一預(yù)設(shè)跳變值為自然數(shù)。本發(fā)明實施例因為第一預(yù)設(shè)跳變值可以是任意的自然數(shù)，因此，使得本發(fā)明實施例的讀處理方法中，可以靈活適應(yīng)不同的讀取方式，因此不會造成無效驗證，能夠有效提升讀處理的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲器處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲器讀處理方法及裝置。

背景技術(shù)

隨著各種電子裝置及嵌入式系統(tǒng)等的發(fā)展，非易失性存儲器件得到較多發(fā)展。示例的，以非易失性存儲器NAND閃存(NAND Flash Memory)為例，NAND閃存通過對Memorycell(存儲單元)進行讀寫擦操作來存儲數(shù)據(jù)，具有改寫速度快，存儲容量大等優(yōu)點，被廣泛使用到電子產(chǎn)品中。在非易失存儲器進行讀操作時，通常是以存儲頁(page)為單位進行讀取，讀操作可以包括兩個階段，第一個階段驗證page的電平狀態(tài)，在確定page為低電平狀態(tài)后，進入第二階段，第二階段為從該page中讀取數(shù)據(jù)的階段。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了提升讀處理的效率，通常采用cache read(高速緩存存儲器讀處理)的方式進行，示例的，如圖1所示，在cache read模式中，在第一階段當(dāng)驗證出其中一個page電平為低電平后，在第二階段從該page中讀取數(shù)據(jù)的同時，并行執(zhí)行驗證與該page相鄰的下一個page的電平狀態(tài)的操作，以上述的其中一個page的地址為m為例，如圖1所示，在驗證出該其中一個page的電平為低電平后，并行執(zhí)行從該其中一個page讀取數(shù)據(jù)，以及，跳到地址為m+1的下一個page進行電平驗證的過程，依次類推，每次跳變只是在上一個page地址的基礎(chǔ)上加1進行。

然而，發(fā)明人在研究上述技術(shù)方案的過程中發(fā)現(xiàn)，上述技術(shù)方案存在如下缺陷：用戶在向page中寫數(shù)據(jù)時，不一定是在連續(xù)地址中寫入，示例的，用戶可能在寫入時，只是在偶數(shù)地址的page寫入，則根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的每次跳變只是在上一個page地址的基礎(chǔ)上加1進行的方式，則每次在偶數(shù)地址讀數(shù)據(jù)時，會跳變到奇數(shù)地址的page中，而該奇數(shù)地址的page中并沒有寫入數(shù)據(jù)，也無法讀取數(shù)據(jù)，即該跳變?yōu)闊o效跳變，不能起到提升讀處理的效率的作用。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實施例的一種非易失存儲器讀處理方法及裝置，以提升讀處理的效率。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種非易失存儲器讀處理方法，所述方法包括：

在對所述非易失存儲器執(zhí)行讀處理的情況下，驗證第一存儲頁的電平狀態(tài)；

在所述第一存儲頁的電平狀態(tài)為低電平的情況下，從所述第一存儲頁中讀取數(shù)據(jù)，且，根據(jù)第一預(yù)設(shè)跳變值跳變到第二存儲頁，以驗證所述第二存儲頁的電平狀態(tài)；其中，所述第二存儲頁的第二存儲地址為：所述第一存儲頁的第一存儲地址與所述第一預(yù)設(shè)跳變值的和；所述第一預(yù)設(shè)跳變值為自然數(shù)。

可選的，所述在所述第一存儲頁為低電平的情況下，從所述第一存儲頁中讀取數(shù)據(jù)，且，根據(jù)第一預(yù)設(shè)跳變值跳變到第二存儲頁，以驗證所述第二存儲頁的電平狀態(tài)之前，還包括：

接收第一跳變指令；其中，所述第一跳變指令包括：所述第一預(yù)設(shè)跳變值。

可選的，所述在所述第一存儲頁為低電平的情況下，從所述第一存儲頁中讀取數(shù)據(jù)，且，根據(jù)第一預(yù)設(shè)跳變值跳變到第二存儲頁，以驗證所述第二存儲頁的電平狀態(tài)之后，還包括：

在所述第二存儲頁的電平狀態(tài)為低電平的情況下，從所述第二存儲頁中讀取數(shù)據(jù)，且，根據(jù)第一預(yù)設(shè)跳變值跳變到第三存儲頁，以驗證所述第三存儲頁的電平狀態(tài)；其中，所述第三存儲頁的第三存儲地址為：所述第二存儲地址與所述第一預(yù)設(shè)跳變值的和。