[發明專利]一種部分編程的方法和裝置有效
| 申請號： | 201910399724.0 | 申請日： | 2019-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN111951856B | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發明（設計）人： | 張曉偉;潘榮華 | 申請（專利權）人： | 兆易創新科技集團股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 部分 編程 方法 裝置 | ||
1.一種部分編程的方法，其特征在于，所述方法應用于Nand?flash存儲器，所述Nandflash存儲器包括：存儲單元，所述方法包括：
接收第一次部分編程操作指令；
根據所述第一次部分編程操作指令，對對應于所述第一次部分編程操作指令的存儲單元執行第一次編程驗證操作；
若第一次編程驗證通過的存儲單元的數量達到目標數量，則記錄對應第一次編程驗證通過時的編程加壓操作的次數；
完成所述第一次部分編程操作指令對應的部分編程操作；
接收第二次部分編程操作指令；
根據所述次數，確定目標電壓；
根據所述第二次部分編程操作指令，對對應于所述第二次部分編程操作指令的存儲單元執行所述第二次部分編程操作指令對應的編程加壓操作，所述第二次部分編程操作指令對應的編程加壓操作以所述目標電壓為執行所述第二次部分編程操作指令對應的編程加壓操作的初始電壓值；
其中，第一次部分編程操作的存儲單元、第二次部分編程操作的存儲單元為同一字線上的存儲單元，該字線上的存儲單元還包括：第三次部分編程操作的存儲單元，所述第三次部分編程操作的步驟與所述第二次部分編程操作的步驟相同。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在根據所述第一次部分編程操作指令，對對應于所述第一次部分編程操作指令的存儲單元執行第一次編程驗證操作之后，所述方法還包括：
若第一次編程驗證通過的存儲單元的數量未達到目標數量，則對對應于所述第一次部分編程操作指令的存儲單元，執行所述第一次部分編程操作指令對應的編程加壓操作；
對所述第一次部分編程操作指令對應的存儲單元，執行所述第一次部分編程操作指令對應的第二次編程驗證操作；
若第二次編程驗證通過的存儲單元的數量達到目標數量，則記錄對應第二次編程驗證通過時的編程操加壓操作的次數。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，若第一次編程驗證通過的存儲單元的數量達到目標數量，則記錄對應第一次編程驗證通過時的編程操加壓操作的次數，包括：
若第一次編程驗證通過的存儲單元的數量達到目標數量，則記錄對應第一次編程驗證通過時的編程操加壓操作的次數在所述存儲單元字線的空閑區域中；
或者，若第一次編程驗證通過的存儲單元的數量達到目標數量，則記錄對應第一次編程驗證通過時的編程操加壓操作的次數在所述Nand?flash存儲器的寄存器中。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，根據所述次數，確定目標電壓，包括：
讀取所述存儲單元字線的空閑區域中記錄的所述次數，根據所述次數，確定目標電壓的電壓值；
或者，讀取所述Nand?flash存儲器的寄存器中記錄的所述次數，根據所述次數，確定目標電壓的電壓值。
5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述目標電壓的電壓值取值為：
所述Nand?flash存儲器執行部分編程操作的初始電壓值加上所述次數乘以預設值。
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