[發明專利]一種控制擦除性能的方法和裝置

在審

• 申請號: 201910399720.2
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN111951861A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 張曉偉;馬思博
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16;G11C16/08;G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種控制擦除性能的方法和裝置。所述方法包括：接收擦除操作指令，根據擦除操作指令，對存儲單元執行第一次擦除驗證操作，記錄第一次擦除驗證通過的存儲單元的地址，根據記錄的地址，對第一次擦除驗證通過的存儲單元執行擦除保護操作，對第一次擦除驗證未通過的存儲單元執行擦除加壓操作。本發明首先執行擦除驗證操作，記錄該次擦除驗證通過的存儲單元的地址，并對該次擦除驗證通過的存儲單元執行擦除保護操作，執行擦除保護操作的前提是提供同一等級字線電壓的電荷泵對應的全部存儲單元全都通過第一次擦除驗證。本發明的方案不會對已通過驗證的存儲單元過深的擦除，同時減少擦除操作循環次數，提高Nand flash存儲器可靠性和使用壽命。

技術領域

本發明涉及存儲領域，尤其涉及一種控制擦除性能的方法和裝置。

背景技術

現有的Nand flash存儲器執行擦除操作，是按照一個塊(block)為單位執行的，而按照一個block來執行擦除時，整個block中所有存儲單元的字線(wl)都是一起進行擦除操作的，而在執行一次擦除加壓操作后，其中會有一部分wl上的存儲單元成功，而另一部分wl上的存儲單元擦除可能不成功，那么就需要繼續執行下一次擦除加壓操作。這樣就產生一個問題，即使其中有一部分wl上的所有存儲單元都已經達到目標閾值(即已經擦除成功)，對同一個block里的那些還沒達到目標閾值的wl上的存儲單元執行下一次擦除加壓操作時，會對已經達到目標閾值的wl上的存儲單元繼續做擦除加壓操作，這樣就會使該部分wl上的存儲單元被擦除的比較深，并且會額外的增加該部分存儲單元的擦除操作循環次數，而存儲單元承受擦除操作的循環次數是有上限的，若是超過上限，則該存儲單元就不可以再使用，從而導致Nand flash存儲器可靠性降低，使用壽命減少。

發明內容

本發明提供一種控制擦除性能的方法和裝置，解決了擦除操作時，對同一個block中擦除不成功的wl上的存儲單元，再一次執行擦除加壓操作時，需要再次對已經擦除成功的wl上的存儲單元執行擦除加壓操作，導致已經擦除成功的wl上的存儲單元會被擦除的較深，并且增加其擦除操作循環次數的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種控制擦除性能的方法，所述方法應用于Nand flash存儲器，所述Nand flash存儲器包括：存儲單元，所述方法包括：

接收擦除操作指令，所述擦除操作指令包括：所需擦除的所述存儲單元的地址；

根據所述擦除操作指令，對所述存儲單元執行第一次擦除驗證操作；

記錄第一次擦除驗證通過的存儲單元的地址；

根據記錄的地址，對第一次擦除驗證通過的存儲單元執行擦除保護操作；

對第一次擦除驗證未通過的存儲單元執行擦除加壓操作。

可選地，所述Nand flash存儲器還包括：電荷泵，對第一次擦除驗證通過的存儲單元執行擦除保護操作，包括：

若提供同一等級字線電壓的電荷泵對應的全部存儲單元均通過第一次擦除驗證，則對該電荷泵對應的全部存儲單元均執行所述擦除保護操作；

所述方法還包括：

若提供同一等級字線電壓的電荷泵對應的全部存儲單元中有部分存儲單元未通過第一次擦除驗證，則對該電荷泵對應的全部存儲單元均不執行所述擦除保護操作，以及，對該電荷泵對應的全部存儲單元執行所述擦除加壓操作。

可選地，根據記錄的地址，對第一次擦除驗證通過的存儲單元執行擦除保護操作，包括：

確定第一次擦除驗證通過的存儲單元的字線地址；

根據所述字線地址，提高對應于所述字線地址的存儲單元的柵極電壓。

可選地，根據所述擦除操作指令，對所述存儲單元執行第一次擦除驗證操作，包括：