[發明專利]一種基板處理液的存儲裝置和基板后處理設備在審
| 申請號: | 201910399296.1 | 申請日: | 2019-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN110197801A | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 趙德文;李長坤;路新春 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 張建綱 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲主體 基板 存儲裝置 后處理設備 氣密連接 連接口 基板處理液 干燥模塊 處理液 排出管 處理液供給管 化學機械拋光 壓力檢測部 基板清洗 開關組件 后處理 供給管 排出 | ||
1.一種基板處理液的存儲裝置,包括存儲主體、第一管路、第二管路和第三管路,所述存儲主體具有分別與所述管路氣密連接的第一連接口、第二連接口和第三連接口;所述第一管路用于向所述存儲主體內通入氣體以增加所述存儲主體內的壓力;所述第二管路氣密連接于壓力檢測部;所述第三管路氣密連接于處理液供給管和排出管,所述供給管和排出管分別設置有獨立的開關組件,使得可以通過所述第三管路向所述存儲主體內加入處理液或從所述存儲主體排出處理液。
2.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,所述第一管路氣密連接于加壓管和泄壓管,所述加壓管用于向所述存儲主體內通入氣體,所述泄壓管用于從所述存儲主體內排出氣體。
3.如權利要求2所述的存儲裝置,其特征在于,所述加壓管連接分流管,所述分流管和所述排出管共接于汽化器,以將所述氣體和所述處理液混合并汽化排出。
4.如權利要求1至3任一項所述的存儲裝置,其特征在于,所述第三管路具有位于所述存儲主體內部的延伸部,所述延伸部的底端距所述存儲主體內底面的距離小于預設值。
5.如權利要求1至3任一項所述的存儲裝置,其特征在于,所述第三連接口位于所述存儲主體側壁的下部。
6.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,設于所述供給管的開關組件包括單向閥,以使處理液通過該供給管僅能流入所述存儲主體。
7.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,還包括第四管路,所述第四管路的一端氣密連接于所述存儲主體的第四連接口,所述第四管路的另一端氣密連接于液位檢測部。
8.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,所述存儲主體包括蓋體、存儲部和用于連接所述蓋體和所述存儲部的臺階部,以將處理液存儲在所述存儲部內。
9.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,所述存儲部為上端開口的柱狀空心筒體,所述臺階部為環狀,所述臺階部的內環與所述蓋體的下端氣密連接,所述臺階部的外環與所述存儲部的上端氣密連接。
10.如權利要求1所述的存儲裝置,其特征在于,所述處理液為異丙醇液體。
11.一種基板后處理設備,包括基板清洗模塊和基板干燥模塊,所述基板干燥模塊包括如權利要求1至10任一項所述的存儲裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





