[發(fā)明專利]形成空氣間隙的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910399070.1
• 申請(qǐng)日: 2019-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110148584A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何炳奎;曹秀亮;鄒永金;吳繼科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種形成空氣間隙的方法，其特征在于，步驟包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的功能層及位于所述功能層中的第一插塞；

在所述功能層上形成互連線，所述互連線與所述第一插塞電性連接；

形成一掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述互連線及所述功能層；

干法刻蝕所述掩膜層及部分厚度的所述功能層以形成溝槽；

執(zhí)行灰化工藝；以及，

沉積介電層，所述介電層填充所述溝槽且覆蓋所述掩膜層，其中，位于所述溝槽內(nèi)的所述介電層中形成空氣間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，利用Cl₂及BCl₃刻蝕所述掩膜層及部分厚度的所述功能層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)上方的所述功能層的厚度介于之間，所述溝槽的深度大于所述溝槽的深寬比大于2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，執(zhí)行灰化工藝的時(shí)長(zhǎng)介于30s～600s。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，利用含氧氣體執(zhí)行灰化工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，執(zhí)行灰化工藝之后、沉積介電層之前，還包括：

執(zhí)行濕法清洗工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，所述濕法清洗工藝的時(shí)長(zhǎng)介于18min～22min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，利用堿性有機(jī)溶劑執(zhí)行濕法清洗工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，沉積介電層之后，還包括：

形成與所述互連線電性連接的第二插塞，所述第二插塞位于所述介電層中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，所述掩膜層的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的形成空氣間隙的方法，其特征在于，所述功能層包括依次形成的氮化硅層、氧化硅層及碳摻雜氧化硅層。