[發明專利]低彈跳真空滅弧室觸頭結構

有效

• 申請號: 201910398123.8
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN110047696B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 耿英三;李元釗;王子寒;閆靜;彭晶;鄧云坤;王科;譚向宇;馬儀;李昊;陳宇民
• 申請（專利權）人: 云南電網有限責任公司電力科學研究院
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種低彈跳真空滅弧室觸頭結構，其特征在于，包括觸頭片（1）、觸頭托盤（2）、線圈（3）、杯托（5）及導桿（6），其中，

所述線圈（3）的兩端分別與所述觸頭托盤（2）、所述杯托（5）連接，所述觸頭托盤（2）的一端設有嵌入槽（7），所述觸頭片（1）嵌在所述嵌入槽（7）內；

所述杯托（5）的中心處設有環形凸起（9），所述觸頭托盤（2）與所述杯托（5）之間設有彈性柱（4），所述觸頭托盤（2）的另一端設有環形槽（8），所述彈性柱（4）的一端嵌在所述環形槽（8）內，所述彈性柱（4）的另一端與所述環形凸起（9）接觸，用于在所述觸頭片（1）接觸產生的反作用力下發生彈性形變；所述環形凸起（9）的頂面與所述彈性柱（4）的一端側面相抵接；

所述導桿（6）與所述杯托（5）遠離所述彈性柱（4）的一側連接。

2.根據權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室觸頭結構，其特征在于，所述觸頭托盤（2）的一端對稱設有定位槽（10），所述線圈（3）嵌在所述定位槽（10）內。

3.根據權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室觸頭結構，其特征在于，所述線圈（3）為橫磁線圈或縱磁線圈。

4.根據權利要求1所述的低彈跳真空滅弧室觸頭結構，其特征在于，所述線圈（3）為杯狀橫磁線圈或杯狀縱磁線圈。