[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201910396959.4 | 申請日: | 2015-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN110112145B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 劉侑宗;邱冠宇;李淂裕;王兆祥 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明公開一種顯示裝置,包括一陣列基板,定義出多個陣列排列的像素結構。該些像素結構分別具有:一半導體層,位于該基板上;一第一金屬層,位于該基板上;一第一絕緣層,位于該半導體層上,該第一絕緣層具有一第一開口,該第一開口露出該半導體層的一頂面及該第一絕緣層的一側面;一第二金屬層,位于該第一絕緣層上,且經由該第一開口形成于該半導體層的該頂面及該第一絕緣層的該側面;以及一第二絕緣層,位于該第二金屬層與該第一絕緣層上,且該第二絕緣層具有一第二開口,其中該第二開口露出位于該第一絕緣層的該側面上的該第二金屬層。
本申請是中國發明專利申請(申請號:201510029484.7,申請日:2015年01月21日,發明名稱:顯示裝置)的分案申請。
技術領域
本發明涉及顯示裝置,且特別是涉及利用薄膜晶體管的顯示裝置。
背景技術
為了實現高速影像處理以及高品質顯示影像,近年來如彩色液晶顯示裝置的平面顯示器已廣泛地使用。在液晶顯示裝置中,通常包括兩個上、下基板,以黏合或是封合材料接合在一起。而液晶材料被填入兩個基板之間,為了保持兩板之間固定的距離,具有一定粒徑的顆粒被散布于上述兩板之間。
通常,下基板表面形成有用來當作開關元件的薄膜晶體管,此薄膜晶體管具有連接于掃描線(scanning?line)的柵極電極(gate?electrode)、連接于數據線(data?line)的源極電極(source?electrode)、與連接于像素電極(pixel?electrode)的漏極電極(drainelectrode)。而上基板置于下基板上方,此上基板表面形成有一濾光片與多個遮光材料(如由樹脂黑矩陣(Resin?BM)構成)。此兩基板的周邊具有封合材料黏合固定住,而兩基板之間具有液晶材料。下基板也稱之為陣列基板(array?substrate),而形成于其上的如薄膜晶體管、接觸物等數個元件則通常通過數道光刻制作工藝所制作而成。
然而,隨著顯示裝置的影像分辨率的提升趨勢,便需要于下基板上形成如薄膜晶體管、接觸物等尺寸更為縮減的數個元件時,提供可維持或更為提升顯示裝置的開口率表現的陣列基板。
發明內容
依據一實施例,本發明提供了一種顯示裝置,包含:一陣列基板,定義出多個陣列排列的像素結構。該些像素結構分別具有:一半導體層,位于一基板上;一第一金屬層,位于該基板上;一第一絕緣層,位于該半導體層上,該第一絕緣層具有一第一開口,該第一開口露出該半導體層的一頂面及該第一絕緣層的一側面;一第二金屬層,位于該第一絕緣層上,且經由該第一開口形成于該半導體層的該頂面及該第一絕緣層的該側面;以及一第二絕緣層,位于該第二金屬層與該第一絕緣層上,且該第二絕緣層具有一第二開口,其中,該第二開口露出位于該第一絕緣層的該側面上的該第二金屬層,其中,該第一開口、該第二開口與該第一金屬層沿一方向的排列順序為該第一金屬層、該第二開口,及該第一開口。
依據另一實施例,上述顯示裝置,還包括:一透光基板;以及一顯示層,設置于該透光基板與該陣列基板之間。
為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂,下文特舉一優選實施例,并配合所附的附圖,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為本發明的一實施例的一種陣列基板的布局情形的上視示意圖;
圖2為本發明的一實施例的沿圖1內2-2線段的陣列基板的剖面情形的示意圖;
圖3為本發明的另一實施例的一種陣列基板的布局情形的上視示意圖;
圖4為本發明的又一實施例的一種陣列基板的布局情形的示意圖;
圖5為本發明的另一實施例的一種陣列基板的布局情形的上視示意圖;
圖6為本發明的一實施例的沿圖5內6-6線段的陣列基板的剖面情形的示意圖;
圖7為本發明的又一實施例的一種陣列基板的布局情形的上視示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





