[發(fā)明專利]MEMS傳感器、MEMS傳感器系統(tǒng)及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910395404.8
• 申請(qǐng)日: 2019-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN110498385A
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·圖姆波德;D·邁爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L9/00
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 鄭立柱;張鵬<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=

1.一種MEMS傳感器，包括：

傳感器殼體(12)；

膜(14)，布置在所述傳感器殼體(12)中，其中所述傳感器殼體(12)的第一子容積(16)與所述膜(14)的第一主側(cè)面(22₁)相鄰，并且所述傳感器殼體(12)的第二子容積(18)與所述膜(14)的第二主側(cè)面(22₂)相鄰，其中所述第二主側(cè)面(22₂)與所述第一主側(cè)面(22₁)相對(duì)地布置；

在所述傳感器殼體(12)中的第一開口(24₁)，所述第一開口(24₁)將所述第一子容積(16)與所述傳感器殼體(12)的外部環(huán)境(26)透聲地連接；和

在所述傳感器殼體(12)中的第二開口(24₂)，所述第二開口(24₂)將所述第二子容積(18)與所述傳感器殼體(12)的所述外部環(huán)境(26)透聲地連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器，被構(gòu)造為以避免所述第一開口(24₁)和所述第二開口(24₂)之間的流體短路的方式集成到MEMS傳感器系統(tǒng)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MEMS傳感器，包括：

透聲材料(42)，所述透聲材料布置在所述第一開口(24₁)和/或所述第二開口(24₂)中，并且具有至多3dB(A)的信號(hào)衰減。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中所述透聲材料(42)是聲學(xué)耦合的。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的MEMS傳感器，其中所述透聲材料(42)被構(gòu)成為多孔的。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，其中所述透聲材料(42)為所述第一子容積(16)或所述第二子容積(18)提供抗水性和/或?qū)τ陬w粒通過的障礙。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，其中所述透聲材料(42)提供對(duì)相鄰子容積(16；18)與所述外部環(huán)境(26)之間的聲學(xué)耦合的調(diào)節(jié)。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，其中所述第二子容積(18)能夠通過壓力變化被加熱，其中所述第二開口(24₂)被配置為至少部分地減少所述加熱。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，所述MEMS傳感器被構(gòu)成為MEMS聲換能器。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，包括：

彈性元件(46)，所述彈性元件布置在所述第一開口(24₁)或所述第二開口(24₂)中，并且被構(gòu)造為基于所述外部環(huán)境(26)中的流體壓力(P)改變第一子容積(16)或第二子容積(18)的含量。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，其中所述膜(14)具有至少一個(gè)膜開口(32)，所述膜開口(32)將所述第一子容積(16)和所述第二容積(18)彼此流體耦合，其中通過所述膜開口(32)的耦合被用作對(duì)于所述第一子容積(16)和/或所述第二子容積(18)中的壓力變化的低通。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的MEMS傳感器，包括：

評(píng)估裝置(28)，被配置為獲得所述膜(14)的偏移信號(hào)，所述偏移信號(hào)具有關(guān)于所述膜(14)的偏移的信息，并且所述評(píng)估裝置(28)被配置為基于對(duì)所述偏移信號(hào)的處理而提供經(jīng)處理的偏移信號(hào)，其中所述評(píng)估裝置(28)布置在所述傳感器殼體(12)內(nèi)。