[發明專利]一種大功率LED封裝用基板、基板制作方法及其封裝結構

在審

• 申請號: 201910395374.0
• 申請日: 2019-05-13
• 公開（公告）號: CN110112263A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 王可;徐夢雪;王悅輝
• 申請（專利權）人: 電子科技大學中山學院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 成都環泰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 51242
• 代理人: 趙紅欣;李斌

1.一種大功率LED封裝用基板，包括，基板本體(1)、銅線路(11)、導熱絕緣層(12)、石墨層(13)和石墨烯鍍層的金屬塊(14)，其特征在于：所述基板本體(1)包括銅線路(11)、導熱絕緣層(12)、石墨層(13)和石墨烯鍍層的金屬塊(14)，所述石墨層(13)內不嵌入有石墨烯鍍層的金屬塊(14)，所述石墨層(13)與導熱絕緣層(12)之間通過熱壓合方法進行粘合，所述銅線路(11)通過涂布法與導熱絕緣層(12)結合在一起。

2.根據權利要求1所述的大功率LED封裝用基板，其特征在于：所述銅線路(11)由化學溶液蝕刻而成。

3.根據權利要求1所述的大功率LED封裝用基板，其特征在于：所述導熱絕緣層(12)的導熱填料可以是二氧化硅、氧化鋁、氮化硼、碳化硅、氮化鋁之中的一種或多種組合。

4.根據權利要求1所述大功率LED封裝用基板，其特征在于：所述石墨烯鍍層的金屬塊(14)為在金屬塊外表面化學氣相沉積發蒸鍍石墨烯，所述石墨烯鍍層的金屬塊(14)至少嵌入1個，所述石墨烯鍍層的金屬塊(14)的金屬塊厚度與石墨片的厚度相同，所述石墨烯鍍層的金屬塊(14)的鍍層厚度為1納米-500納米。

5.一種大功率LED封裝用基板制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1：銅箔表面涂布導熱絕緣膠；

S2：在金屬塊體表面化學氣相均勻沉積石墨烯鍍層；

S3：石墨片沖切鏤空，并將S2制作的石墨烯鍍層金屬塊嵌入石墨片內；

S4：將S1制成的帶膠銅箔與S3制作的石墨片進行熱壓合；

S5：將S4制成的壓合板的銅箔表面蝕刻成線路，形成LED基板。

6.根據權利要求5所述的大功率LED封裝用基板制作方，其特征在于：所述步驟S1中涂布導熱絕緣膠時60-80℃烘烤10-15mi n，再120-140℃烘烤10-15mi n，最后140-160℃烘烤5-10mi n。

7.根據權利要求5所述的大功率LED封裝用基板制作方法，其特征在于：所述步驟S4中壓合溫度180-200℃，時間1-2小時。

8.一種大功率LED封裝結構，包括基板(1)和封裝結構(2)，其特征在于：所述基板(1)上設置有銅線路(11)、導熱絕緣層(12)、石墨層(13)和石墨烯鍍層的金屬塊(14)，所述封裝結構(2)包括LED芯片(21)、金屬綁定線(22)、引線框架(23)和封裝樹脂(24)，所述基板(1)外露在封裝結構(2)的一側，所述LED芯片(21)與引線框架(23)通過錫膏焊料焊接在銅線路(11)上，且引線框架(23)設置在LED芯片(21)后側，所述金屬綁定線(22)，所述LED芯片和線路(11)之間，以及所述銅線路(11)和引線框架(23)之間通過金屬綁定線(22)連接，所述封裝樹脂(24)設置在基板(1)的外側。

9.根據權利要求8所述的大功率LED封裝結構，特征在于：所述金屬綁定線(22)的材質可以是銅、鋁或金。

10.根據權利要求8所述的大功率LED封裝結構，特征在于：所述封裝樹脂(24)為環氧樹脂封裝材料。