[發明專利]一種陰極修飾層材料及其制備方法以及太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201910394209.3
• 申請日: 2019-05-13
• 公開（公告）號: CN110098334A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 鄭永豪;林奕瑋;劉曉東
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229
• 代理人: 郭艷艷

1.一種陰極修飾層材料，其特征在于，該材料的分子結構式為：

所述R1為苯基、鄰甲苯基、1-萘基、α-萘基、2-萘基、甲氧基團、C₁-C₆₀的直鏈烷基或C₁-C₆₀的支鏈烷基；

R2為苯基、鄰甲苯基、1-萘基、α-萘基、2-萘基、甲氧基團、C₁-C₆₀的直鏈烷基或C₁-C₆₀的支鏈烷基。

2.一種制備權利要求1所述陰極修飾層材料的方法，其特征在于，包括以下步驟：

向4，6-二氨基間苯二酚鹽酸鹽溶液中加入含有氨基的物質，在常溫下反應，待反應溶液顏色變紫時，停止加入，攪拌2～5h后即可。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述含有氨基的物質為甲氧基丙胺、甲胺、2-氨基聯苯、乙胺、4-氨基對三聯苯、苯甲胺、正丁胺、苯胺、3-丙胺或3-(甲硫基)丙胺。

4.一種利用權利要求1所述陰極修飾層材料制備太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)超聲清潔襯底10～15min，吹干后，再用紫外臭氧處理20～30min后，將所述的陰極修飾層材料溶解，然后以2500～4000r/min的速度旋涂于處理后的襯底表面，旋涂30～60s；

(2)然后在陰極修飾層材料上繼續以900～1700r/min的速度旋涂活性層，旋涂1～2min后，將其置于5～8×10^-5Pa的環境中，在活性層上依次蒸鍍MoO₃層和Ag電極即可。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述襯底為氧化銦錫導電玻璃襯底，其中，氧化銦錫的厚度為135nm。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(2)中所述活性層厚度為100～200nm，其包括摩爾比為1:1～2的電子受體材料和聚合物給體材料。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述聚合物給體材料為P3HT或PTB7-Th；所述電子受體材料為PC₆₁BM、PC₇₁BM或ITIC。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(2)中所述MoO₃層的厚度為5～10nm；Ag電極厚度為120nm。

9.權利要求4～8所述方法制備得到的太陽能電池。