[發明專利]電容器組件

有效

• 申請號: 201910393320.0
• 申請日: 2019-05-13
• 公開（公告）號: CN111243863B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 崔斗源;趙志弘;禹錫均;丁海碩
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/224;H01G4/232;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;劉奕晴

1.一種電容器組件，包括：

主體，包括多個介電層以及交替地設置為彼此面對的多個第一內電極和多個第二內電極，且相應的介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間，所述主體具有設置為彼此背對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并設置為彼此背對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并設置為彼此背對的第五表面和第六表面；以及

第一外電極和第二外電極，設置在所述主體的外表面上，并且分別連接到所述第一內電極和所述第二內電極，

其中，所述主體包括：電容形成部，在所述電容形成部中，通過包括設置為彼此面對的所述第一內電極和所述第二內電極且使相應的介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間來形成電容；覆蓋部，在所述第一內電極和所述第二內電極的堆疊方向上設置在所述電容形成部的上方和下方；以及邊緣部，設置在所述電容形成部的背對的側表面上，

從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的至少一個包括多個石墨烯片，

其中，所述電容形成部不包括石墨烯或者所述電容形成部的石墨烯含量比從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的所述至少一個的石墨烯含量低，并且

其中，從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的所述至少一個包括多個電介質晶粒以及設置在相鄰的電介質晶粒之間的晶界，并且所述多個石墨烯片設置在所述晶界中。

2.如權利要求1所述的電容器組件，其中，所述覆蓋部和所述邊緣部與所述電容形成部接觸。

3.如權利要求2所述的電容器組件，其中，所述石墨烯片具有沿所述多個電介質晶粒的表面設置的一個表面。

4.如權利要求2所述的電容器組件，其中，在所述多個石墨烯片中，總的所述石墨烯片中的百分之五或更少的石墨烯片處于層疊10層或更多層的石墨烯的層疊狀態。

5.如權利要求1所述的電容器組件，其中，從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的所述至少一個中的所述多個石墨烯片的含量相對于從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的相應的至少一個中包含的鈦酸鋇為大于等于0.05wt％且小于2.0wt％。

6.如權利要求1所述的電容器組件，其中，從所述覆蓋部和所述邊緣部中選擇的所述至少一個在拉曼分析中具有在D帶和G帶中的每個中檢測到的峰。

7.如權利要求1所述的電容器組件，其中，所述電容形成部在拉曼分析中具有僅在D帶和G帶中的一個中檢測到的峰。

8.如權利要求1所述的電容器組件，其中，所述多個石墨烯片中的一些為氧化石墨烯或還原氧化石墨烯。

9.如權利要求1所述的電容器組件，其中，所述第一內電極和所述第二內電極中的每個具有小于1微米的厚度，并且所述介電層中的每個具有小于2.8微米的厚度。

10.如權利要求1所述的電容器組件，其中，當所述內電極中的每個的厚度被定義為te并且所述介電層中的每個的厚度被定義為td時，te和td滿足td2×te。

11.如權利要求1所述的電容器組件，其中，所述第一外電極和所述第二外電極中的每個包括電極層和設置在所述電極層上的導電樹脂層。

12.如權利要求11所述的電容器組件，其中，所述電極層包括玻璃和導電金屬，所述導電金屬包括從由銅、銀、鎳和它們的合金組成的組中選擇的至少一種。

13.如權利要求11所述的電容器組件，其中，所述導電樹脂層包括基礎樹脂和導電金屬，所述導電金屬包括從由銅、銀、鎳和它們的合金組成的組中選擇的至少一種。