[發(fā)明專利]一種單晶硒化錫熱電薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910389990.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-05-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110172735B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 斯劍霄;陳子潔;申彤;李康銀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B29/46 | 分類號(hào)： | C30B29/46;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人： | 董德 |
| 地址： | 321004 *** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶硒化錫 熱電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種單晶硒化錫熱電薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、取襯底，置于清洗液中超聲清洗10min，清洗后在60-150℃下烘干2h，取出自然冷卻；
S2、將步驟S1中處理后的襯底放入到旋涂機(jī)上，對(duì)襯底表面滴加0.3-1mL分散液，所述分散液為1-5mg/mL的氧化石墨烯分散液，以2000r/min轉(zhuǎn)速旋甩30s，旋甩后將襯底取出，在200℃下烘干5-10min，得到緩沖層襯底；
S3、取硒化錫濺射靶材放入高真空多功能磁控濺射鍍膜儀沉積腔的靶臺(tái)上，再將步驟S2制得的緩沖層襯底放入高真空多功能磁控濺射鍍膜儀沉積腔的樣品臺(tái)上，先抽真空至真空度小于10Pa，充入惰性氣體至氣壓達(dá)到100Pa完成洗氣，再次抽真空至真空度小于6×10-4Pa，對(duì)緩沖層襯底加熱，加熱至200-280℃，通入惰性氣體，通入惰性氣體的體積流量為15-25Sccm，進(jìn)行濺射20-60min，所述高真空多功能磁控濺射鍍膜儀的濺射氣壓為1.2-2.7Pa，濺射功率為80-100W，旋轉(zhuǎn)速度為15-30r/min，得到單晶硒化錫熱電薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硒化錫熱電薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的所述襯底為普通玻璃、云母和硅片中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硒化錫熱電薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的所述清洗液為無(wú)水乙醇和去離子水中的一種或任意兩種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的單晶硒化錫熱電薄膜制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣和氬氣中的一種或任意兩種的混合物。
5.一種如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的單晶硒化錫熱電薄膜制備方法制備的單晶硒化錫熱電薄膜。
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