[發明專利]一種低壓差線性穩壓器過沖消除電路和下沖消除電路在審
| 申請號: | 201910389941.1 | 申請日: | 2019-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN110174918A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發明(設計)人: | 李向南;林宏達 | 申請(專利權)人: | 深圳市匯春科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/569 | 分類號: | G05F1/569 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪銘福 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區布*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 消除電路 下沖 低壓差線性穩壓器 輸出端電壓 反饋補償電路 反饋電阻 輸出端 誤差放大器 反饋補償 過沖現象 技術效果 旁路電容 輸出穩定 直流電源 準電壓源 減小 響應 | ||
1.一種低壓差線性穩壓器過沖消除電路,其特征在于,包括:基準電壓源、誤差放大器、直流電源、第一PMOS管、第一反饋電阻、第二反饋電阻、第一旁路電容和過沖反饋補償模塊,
所述誤差放大器包括正相輸入端、反相輸入端和輸出端,所述誤差放大器的反相輸入端連接所述基準電壓源的輸出端,所述誤差放大器的輸出端連接所述第一PMOS管的柵極,所述第一PMOS管的漏極連接所述第一反饋電阻的一端,所述第一反饋電阻的另一端連接所述第二反饋電阻的一端,所述第二反饋電阻的另一端接地,所述誤差放大器的正相輸入端連接所述第一反饋電阻和所述第二反饋電阻的中間節點,所述第一旁路電容的一端連接所述第一PMOS管的漏極,所述第一旁路電容的另一端接地,所述第一PMOS管的漏極為所述低壓差線性穩壓器的輸出端,所述過沖反饋補償模塊的輸入端連接所述低壓差線性穩壓器的輸出端,所述過沖反饋補償電路的輸出端連接所述第一PMOS管的柵極,所述直流電源為所述基準電壓源、所述誤差放大器和所述第一PMOS管供電。
2.根據權利要求1所述的一種低壓差線性穩壓器過沖消除電路,其特征在于,所述過沖反饋補償模塊包括:第一偏置電壓源、第二偏置電壓源、第二PMOS管、第三PMOS管和第一電容,所述第一偏置電壓源與所述第二PMOS管的柵極連接,所述第二偏置電壓源與所述第三PMOS管的柵極連接,所述第二PMOS管的漏極與所述第三PMOS管的源極連接,所述第三PMOS管的漏極與所述第一PMOS管的柵極連接,所述第二PMOS管的襯底與所述第三PMOS管的襯底連接,并分別與所述直流電源連接,所述第二PMOS管的源極與直流電源連接,所述第一電容的一端與所述第二PMOS管的源極連接,所述第一電容的另一端與所述第一PMOS管的柵極連接。
3.一種低壓差線性穩壓器下沖消除電路,其特征在于,包括:基準電壓源、誤差放大器、直流電源、第一PMOS管、第一反饋電阻、第二反饋電阻、第一旁路電容和下沖反饋補償模塊,
所述誤差放大器包括正相輸入端、反相輸入端和輸出端,所述誤差放大器的反相輸入端連接所述基準電壓源的輸出端,所述誤差放大器的輸出端連接所述第一PMOS管的柵極,所述第一PMOS管的漏極連接所述第一反饋電阻的一端,所述第一反饋電阻的另一端連接所述第二反饋電阻,所述第二反饋電阻的另一端接地,所述誤差放大器的正相輸入端連接第一反饋電阻和第二反饋電阻的中間節點,所述第一旁路電容的一端連接所述第一PMOS管的漏極,所述第一旁路電容的另一端接地,所述第一PMOS管的漏極為所述低壓差線性穩壓器的輸出端,所述下沖反饋補償模塊的輸入端連接所述低壓差線性穩壓器的輸出端,所述下沖反饋補償電路的輸出端連接所述第一PMOS管的柵極,所述直流電源為所述誤差放大器和所述第一PMOS管供電。
4.根據權利要求3所述的一種低壓差線性穩壓器下沖消除電路,其特征在于,所述下沖反饋補償模塊包括第三偏置電壓源、第四偏置電壓源、第一NMOS管、第二NMOS管和第二電容,所述第一NMOS管的漏極連接所述誤差放大器的輸出端,所述第三偏置電壓源連接所述第一NMOS管的柵極,所述第四偏置電壓源連接所述第二NMOS管的柵極,所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極連接,所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的柵極連接,所述第一NMOS管的襯底與所述第二NMOS管的襯底連接并接地,所述第二NMOS管的源極接地,所述第二電容的一端與所述第一NMOS管的源極連接,所述第二電容的另一端與所述第一PMOS管的漏極連接。
5.一種電源管理芯片,其特征在于,包括如權利要求1或2所述的低壓差線性穩壓器過沖消除電路。
6.一種電源管理芯片,其特征在于,包括如權利要求3或4所述的低壓差線性穩壓器下沖消除電路。
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