[發(fā)明專利]磷化銦納米晶的制備方法及由其制備的產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910388928.4
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN111908436B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設計）人: 單玉亮;鄺青霞;曹越峰;楊涵妮;王允軍
• 申請（專利權）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號: C01B25/08
• 分類號: C01B25/08;B82Y40/00;C09K11/70
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請公開了一種磷化銦納米晶的制備方法，包括：獲得含有銦前體的第一溶液和含有磷前體的第二溶液，使含有銦前體的第一溶液與含有磷前體的第二溶液發(fā)生化學反應得到磷化銦納米晶，其中，含有銦前體的第一溶液或含有磷前體的第二溶液中含有供電子化合物。本申請使用供電子化合物調(diào)節(jié)銦前體或磷前體的反應活性，可以有效控制納米晶的生長速率，提高反應均一性，保證成核均一性，從而獲得半峰寬窄、光學性能高的磷化銦納米晶。

技術領域

本申請屬于納米材料制備技術領域，尤其涉及一種磷化銦納米晶的制備方法及由其制備的產(chǎn)品。

背景技術

納米晶由于其具有激發(fā)波長范圍寬、發(fā)射峰窄、斯托克斯位移(Stokes shift)大、粒徑可控、光化學穩(wěn)定性強等優(yōu)點，在顯示、照明、生物及太陽能電池等領域有著廣泛的應用。

與II-VI族基納米晶材料相比，以磷化銦納米晶為代表的III-V族基納米晶材料不具有內(nèi)在的毒性，環(huán)境友好，更加適用于工業(yè)化生產(chǎn)和應用推廣，正逐漸成為當前研究的熱點。然而，現(xiàn)有技術中磷化銦納米晶的發(fā)光效率、發(fā)射峰半峰寬等性能相較于II-VI族基納米晶材料還存在明顯的差距，雖然現(xiàn)有技術通過表面酸刻蝕處理、殼層包覆、核內(nèi)金屬摻雜等方式對磷化銦納米晶的光學性能提升起到了一定的作用，但是仍有很大的改進空間。

現(xiàn)有技術中，為了獲得質(zhì)量高的磷化銦量子點，常常通過調(diào)節(jié)溶劑或調(diào)控溫度的方法來改變銦前體和磷前體的反應活性，但效果并不佳。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┮环N磷化銦納米晶的制備方法，通過調(diào)節(jié)銦前體或磷前體的反應活性，控制反應速率，提高反應均一性，從而有利于制備高質(zhì)量的磷化銦量子點。

根據(jù)本申請的一個方面，提供一種磷化銦納米晶的制備方法，包括步驟：獲得含有銦前體的第一溶液和含有磷前體的第二溶液，使含有銦前體的第一溶液與含有磷前體的第二溶液混合，所述銦前體與所述磷前體發(fā)生化學反應得到磷化銦納米晶，其中，所述含有銦前體的第一溶液或含有磷前體的第二溶液中含有供電子化合物。

進一步地，供電子化合物為含氮雜環(huán)卡賓。

進一步地，含氮雜環(huán)卡賓選自如下結(jié)構式化合物中的至少一種，

其中，R₁～R₉各自獨立地選自為H，或者C1-C22的烷烴鏈，或者C1-C22的烯烴鏈，或者C5-C22的芳香烴鏈。

進一步地，所述第一溶液和/或所述第二溶液中含有胺化合物。

進一步地，所述胺化合物包括碳原子數(shù)≥6的飽和或者不飽和胺中的至少一種。

進一步地，所述第一溶液和/或所述第二溶液中還含有有機溶劑。

進一步地，所述有機溶劑選自烷烴、烯烴、鹵代烴、芳香烴、醚類、胺類、酮類和酯類中的至少一種。

進一步地，以物質(zhì)的量計，供電子化合物與銦前體或磷前體的比值為(0.1～1)：1。

進一步地，銦前體為鹵化銦，磷前體為有機氨基膦。

進一步地，在磷化銦納米晶上包覆殼層。

本申請還提供了一種磷化銦納米晶，所述磷化銦納米晶由上述任一項制備方法獲得。

與現(xiàn)有技術相比，本申請的優(yōu)點主要在于：

本申請使用供電子化合物調(diào)節(jié)銦前體或磷前體的反應活性，可以有效控制納米晶的生長速率，提高反應均一性，保證成核均一性，從而獲得半峰寬窄、光學性能高的磷化銦納米晶。

具體實施方式

下面將結(jié)合本申請實施方式，對本申請實施例中的技術方案進行詳細的描述。應注意的是，所描述的實施方式僅僅是本申請一部分實施方式，而不是全部實施方式。