[發(fā)明專利]核殼結(jié)構(gòu)納米晶及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910388924.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN110172335B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉東強(qiáng);李敬群;王允軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/02
• 分類號(hào): C09K11/02;C09K11/88
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N核殼結(jié)構(gòu)納米晶，包括納米晶核，包覆在所述納米晶核上的第一子殼層，包覆在所述第一子殼層上的第二子殼層，以及包覆在所述第二子殼層上的第三子殼層，其中，第二子殼層的厚度大于第一子殼層的厚度。本申請(qǐng)通過在納米晶核上依次包覆較薄的第一子殼層、較厚的第二子殼層和第三子殼層，制備得到了發(fā)光效率高(≥80％)的納米晶。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種核殼結(jié)構(gòu)納米晶及其制備方法。

背景技術(shù)

納米晶具有激發(fā)波長范圍寬、發(fā)射峰窄、斯洛克斯位移大、粒徑可控、光化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)異的發(fā)光性能，在顯示、照明、太陽能電池、生物成像等方面有著廣闊的發(fā)展前景。

納米晶的表面缺陷會(huì)增加非輻射躍遷的幾率，從而對(duì)其發(fā)光特性造成不良影響。為了解決這一問題，一般在納米晶核的表面包覆殼層，以增強(qiáng)其發(fā)光效率、提高穩(wěn)定性。然而，現(xiàn)有技術(shù)中，由于殼層與納米晶核，以及殼層內(nèi)各層之間存在晶格不匹配等問題，導(dǎo)致納米晶的發(fā)光效率依然不高。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N核殼結(jié)構(gòu)納米晶及其制備方法，旨在提升納米晶的發(fā)光效率。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供一種核殼結(jié)構(gòu)納米晶，包括：

納米晶核；

第一子殼層，所述第一子殼層包覆在所述納米晶核上；

第二子殼層，所述第二子殼層包覆在所述第一子殼層上；以及

第三子殼層，所述第三子殼層包覆在所述第二子殼層上，

其中，所述第二子殼層的厚度大于所述第一子殼層的厚度。

進(jìn)一步地，所述第二子殼層的厚度為1～3nm。

進(jìn)一步地，所述第一子殼層的厚度小于等于0.5nm。

進(jìn)一步地，所述第三子殼層的厚度為1～3nm。

進(jìn)一步地，所述納米晶核包括III-V族、II-VI族、I-VI族以及I-III-VI族納米晶核中的任意一種。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)方面，提供一種核殼結(jié)構(gòu)納米晶的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1、獲得包含納米晶核的第一反應(yīng)體系；

S2、于所述第一反應(yīng)體系中加入第一前驅(qū)體，在所述納米晶核上包覆第一子殼層，形成第二反應(yīng)體系；

S3、于所述第二反應(yīng)體系中加入第二前驅(qū)體，在所述第一子殼層上包覆第二子殼層，形成第三反應(yīng)體系；

S4、于所述第三反應(yīng)體系中加入第三前驅(qū)體，在所述第二子殼層上包覆第三子殼層，制得所述核殼結(jié)構(gòu)納米晶；

其中，所述第二子殼層的厚度大于所述第一子殼層的厚度。

進(jìn)一步地，所述第一前驅(qū)體至少包括硒前驅(qū)體，所述第一子殼層為ZnSe；所述第二前驅(qū)體至少包括鋅前驅(qū)體和硫前驅(qū)體，所述第二子殼層為ZnSeS；所述第三前驅(qū)體至少包括硫前驅(qū)體，所述第三子殼層為ZnS。

進(jìn)一步地，所述第一前驅(qū)體還包括鋅前驅(qū)體，所述第二前驅(qū)體還包括硒前驅(qū)體，所述第三前驅(qū)體還包括鋅前驅(qū)體。

進(jìn)一步地，所述第二前驅(qū)體包括鋅前驅(qū)體、硒前驅(qū)體和硫前驅(qū)體，所述步驟S3包括：通過逐步升溫的方式，于所述第二反應(yīng)體系中交替加入鋅前驅(qū)體、硒前驅(qū)體和硫前驅(qū)體，在所述第一子殼層上包覆第二子殼層，形成第三反應(yīng)體系。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)的優(yōu)點(diǎn)主要在于：