[發明專利]微發光二極管轉印系統在審
| 申請號: | 201910387685.2 | 申請日: | 2019-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN110504188A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 安范模;樸勝浩;邊圣鉉 | 申請(專利權)人: | 普因特工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 32200 南京經緯專利商標代理有限公司 | 代理人: | 汪麗紅<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 韓國忠淸南道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微發光二極管 轉印系統 地轉 | ||
1.一種微發光二極管轉印系統,其特征在于,包括:
微發光二極管,投入在溶液中;以及
微發光二極管吸附體,設置到所述溶液的內部,且包括具有氣孔的多孔性部件而使形成有所述氣孔的吸附面吸附所述微發光二極管。
2.根據權利要求1所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述微發光二極管吸附體以施加在所述氣孔的吸入力吸附所述微發光二極管。
3.根據權利要求2所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述微發光二極管吸附體上升而使所述吸附面與所述微發光二極管密接,從而以所述吸入力吸附所述微發光二極管。
4.根據權利要求2所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
因所述微發光二極管吸附體的所述吸入力而投入在所述溶液中的所述微發光二極管下降,從而所述微發光二極管吸引到所述微發光二極管吸附體的吸附面。
5.根據權利要求1所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
在所述微發光二極管吸附體設置電滲泵,通過所述電滲泵的動作而所述微發光二極管吸附體吸附所述微發光二極管。
6.根據權利要求5所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述電滲泵包括:
第一電極,形成在所述多孔性部件的一面;
第二電極,形成在所述多孔性部件的另一面;以及
電源部,與所述第一電極及所述第二電極連接而施加電壓。
7.根據權利要求5所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述電滲泵產生使所述溶液流入到所述多孔性部件的內部的流動,從而將所述微發光二極管吸引到所述微發光二極管吸附體的吸附面。
8.根據權利要求5所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述電滲泵對填充在所述多孔性部件的內部的電解液的流動進行控制,從而使所述微發光二極管吸附體吸附所述微發光二極管。
9.根據權利要求5所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述電滲泵由脈沖波驅動。
10.根據權利要求9所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
以所述溶液的下降力大于上升力的方式控制所述脈沖波。
11.根據權利要求1所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述多孔性部件包括多孔質陶瓷。
12.根據權利要求1所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述多孔性部件包括陽極氧化膜。
13.根據權利要求1所述的微發光二極管轉印系統,其特征在于,
所述多孔性部件的上表面提供有安裝所述微發光二極管且形成有導引傾斜部的安裝槽及沿所述安裝槽的周邊形成的遮蔽部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





