[發明專利]一種計算光刻建模方法及裝置有效
| 申請號: | 201910385455.2 | 申請日: | 2019-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN110262191B | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發明(設計)人: | 崔紹春 | 申請(專利權)人: | 墨研計算科學(南京)有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G06F30/20 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯長明;許偉群 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 計算 光刻 建模 方法 裝置 | ||
1.一種計算光刻建模方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取測試圖形包含的圖形單元的類型,其中,所述測試圖形是指用于測試的掩模版圖形;
根據所述圖形單元的類型,確定光學模塊組,其中,所述光學模塊組由多個光學模塊組成;
根據所述光學模塊組,獲取物理光學模型的參數;
根據所述光學模塊組以及所述測試圖形,計算所述光學模塊組在光刻膠上的理想光強分布,所述理想光強分布包括每一個所述光學模塊在所述光刻膠上的理想光強分布;
根據所述理想光強分布以及所述光學模塊組在所述光刻膠上激發的光化學反應,獲取光化學模型的參數;
獲取所述光刻膠發生光化學反應的閾值條件,并根據所述閾值條件以及所述理想光強分布,模擬所述測試圖形在所述光刻膠上形成的邊界位置;
獲取所述測試圖形的關鍵尺寸測量數據,以及根據所述邊界位置,獲取所述測試圖形的關鍵尺寸仿真數據;
若所述關鍵尺寸測量數據與所述關鍵尺寸仿真數據之間的擬合誤差不大于預設的容許誤差,則根據所述物理光學模型的參數以及所述光化學模型的參數,建立計算光刻模型,所述計算光刻模型包括物理光學模型以及光化學模型;
其中,所述根據所述圖形單元的類型,確定光學模塊組,包括:
根據所述圖形單元的類型,將所述測試圖形進行分類;
獲取每一類測試圖形在所述測試圖形中所占的比重;
確定所述每一類測試圖形對應的光學模塊;
根據所述每一類測試圖形在所述測試圖形中所占的比重,確定所述每一類測試圖形對應的光學模塊的權重系數;
將所述每一類測試圖形對應的光學模塊,按照各自的權重系數進行組合,確定所述光學模塊組。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,若所述擬合誤差大于所述預設的容許誤差,則根據牛頓迭代法,重新獲取所述物理光學模型的參數以及所述光化學模型的參數,對所述計算光刻模型進行優化。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述物理光學模型的參數包括每一個所述光學模塊對應的光學參數;
其中,所述每一個光學模塊對應的光學參數包括:照明光源參數、光瞳透鏡參數以及成像深度參數。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述光化學模型的參數包括每一個所述光學模塊在所述光刻膠上激發的光化學反應參數;
其中,所述每一個光學模塊在所述光刻膠上激發的光化學反應參數包括:所述光學模塊的權重系數、所述光學模塊的理想光強分布擴散項的權重系數、高斯函數的標準差以及拉蓋爾多項式的階次。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,
通過以下公式計算所述邊界位置,所述邊界位置為所述光學模塊組基于所述測試圖形在所述光刻膠上形成的光阻像的坐標集合:
其中,i表示第i個光學模塊;ci表示所述第i個光學模塊的權重系數;Ri(xk,yk)表示基于所述測試圖形,所述第i個光學模塊在所述光刻膠上形成的光阻像;(xk,yk)表示基于所述測試圖形,所述第i個光學模塊在所述光刻膠上形成的光阻像的坐標;T表示所述光刻膠發生光化學反應的閾值條件。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,
基于所述測試圖形,所述第i個光學模塊在光刻膠上形成的光阻像為:
其中,j表示所述第i個光學模塊的理想光強分布的第j個擴散項,lj表示所述第i個光學模塊的理想光強分布的第j個擴散項的權重系數,Ii(x,y)表示所述第i個光學模塊在所述光刻膠上的理想光強分布,表示高斯拉蓋爾基函數,sj表示所述高斯函數的標準差,pj表示所述拉蓋爾多項式的階次。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于墨研計算科學(南京)有限公司,未經墨研計算科學(南京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910385455.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構及其制作方法
- 下一篇:制版裝置及制版方法





