[發明專利]像素排列結構、掩模裝置及顯示面板在審
| 申請號: | 201910384609.6 | 申請日: | 2019-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN110176476A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發明(設計)人: | 關彥濤 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 王程;哈達 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 子像素塊 像素排列結構 顯示面板 掩模裝置 掩模板 制備 間隔設置 顯示效率 像素單元 長寬比 減小 申請 | ||
1.一種像素排列結構(10),其特征在于,包括:間隔設置的多個第一子像素塊(11)、多個第二子像素塊(12)和多個第三子像素塊(13);
一個所述第一子像素塊(11)、一個所述第二子像素塊(12)和兩個所述第三子像素塊(13)形成一個最小重復單元(14),其中兩個所述第三子像素塊(13)在所述最小重復單元(14)中成對角設置;
一個所述第一子像素塊(11)包括兩個第一子像素(110),一個所述第二子像素塊(12)包括兩個第二子像素(120),一個所述第三子像素塊(13)包括兩個第三子像素(130),所述第一子像素(110)、所述第二子像素(120)和所述第三子像素(130)長寬比的范圍均為3:1至3:2。
2.如權利要求1所述的像素排列結構(10),其特征在于,所述第一子像素(110)、所述第二子像素(120)和所述第三子像素(130)的長寬比均為2:1。
3.如權利要求1所述的像素排列結構(10),其特征在于,所述第一子像素塊(11)中的兩個第一子像素(110)的長邊相鄰,所述第二子像素塊(12)中的兩個第二子像素(120)的長邊相鄰,所述第三子像素塊(13)中的兩個第三子像素(130)的長邊相鄰。
4.如權利要求1所述的像素排列結構(10),其特征在于,一個所述最小重復單元(14)中包括一個第一像素單元(141)和一個第二像素單元(142),所述第一像素單元(141)和所述第二像素單元(142)中共用一個所述第一子像素(110)和一個所述第二子像素(120)。
5.如權利要求1所述的像素排列結構(10),其特征在于,所述像素排列結構(10)包括多個所述最小重復單元(14),所述最小重復單元(14)在行方向和列方向均陣列排布,且在行方向或列方向相鄰的兩個所述第一子像素(110)之間間隔一個所述第三子像素(130),在行方向或列方向相鄰的兩個所述第二子像素(120)之間間隔一個所述第三子像素(130)。
6.如權利要求1-5中任一項所述的像素排列結構(10),其特征在于,所述第一子像素(110)為藍色子像素,所述第二子像素(120)為紅色子像素,所述第三子像素(130)為綠色子像素。
7.如權利要求1-5中任一項所述的像素排列結構(10),其特征在于,每個所述第一子像素塊(11)中的兩個所述第一子像素(110)的形狀相同,每個所述第二子像素塊(12)中的兩個所述第二子像素(120)的形狀相同,每個所述第三子像素塊(13)中的兩個所述第三子像素(130)的形狀相同。
8.如權利要求1-5中任一項所述的像素排列結構(10),其特征在于,一個所述第一子像素塊(11)的面積大于一個所述第二子像素塊(12)的面積,一個所述第二子像素塊(12)的面積大于一個所述第三子像素塊(13)的面積。
9.如權利要求1-5中任一項所述的像素排列結構(10),其特征在于,在行方向上,一個所述最小重復單元(14)中一個所述第一子像素塊(11)的中心和一個所述第三子像素塊(13)的中心在一條水平線上,且一個所述最小重復單元(14)中一個所述第二子像素塊(12)的中心和另一個所述第三子像素塊(13)的中心在一條水平線上;或者
在列方向上,一個所述最小重復單元(14)中一個所述第一子像素塊(11)的中心和一個所述第三子像素塊(13)的中心在一條豎直線上,且一個所述最小重復單元(14)中一個所述第二子像素塊(12)的中心和另一個所述第三子像素塊(13)的中心在一條豎直線上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





