[發明專利]一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法在審
| 申請號： | 201910384205.7 | 申請日： | 2019-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN110335896A | 公開（公告）日： | 2019-10-15 |
| 發明（設計）人： | 張培健;劉建;朱坤峰 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/49;H01L29/73 |
| 代理公司： | 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 劉佳 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發射極窗口 多晶硅發射極結構 超薄氧化層 可調電流 多晶硅 襯底片 發射極 制作 淀積 光刻 刻蝕 去膠 常規工藝 電流增益 工藝過程 生長 流片 | ||
1.一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：包括：
S1：在襯底片上形成第一發射極窗口；
S2：在第一發射極窗口內生長超薄氧化層；
S3：在第一發射極窗口內淀積多晶硅；
S4：對多晶硅進行光刻、刻蝕和去膠，以形成第一發射極；
S5：在襯底片上形成第二發射極窗口；
S6：在第二發射極窗口內生長超薄氧化層，且第二發射極的超薄氧化層厚度與第一發射極的超薄氧化層厚度不同；
S7：在第二發射極窗口內淀積多晶硅；
S8：對多晶硅進行光刻、刻蝕和去膠，以形成第二發射極；
S9：繼續常規工藝完成后續所有工藝過程，形成最終多晶硅發射極器件結構。
2.如權利要求1所述的一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：生長超薄氧化層時在多晶淀積爐內原位生長。
3.如權利要求1所述的一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：所述第一發射極的超薄氧化層的厚度為4-8埃。
4.如權利要求1所述的一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：所述第二發射極的超薄氧化層厚度為10-20埃。
5.如權利要求1或2所述的一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：生長超薄氧化層前發射極窗口進行清洗。
6.如權利要求5所述的一種可調電流增益的多晶硅發射極結構的制作方法，其特征在于：清洗過程包括在多晶硅淀積爐內的氫氟酸蒸氣吹淋，祛除發射極窗口的自然氧化層。
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