[發明專利]微機電系統器件制備方法

在審

• 申請號: 201910383273.1
• 申請日: 2019-05-09
• 公開（公告）號: CN111908420A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 胡永剛;周國平;夏長奉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 熊文杰;鄧云鵬

1.一種微機電系統器件制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底的正面形成第一犧牲層，在所述第一犧牲層上形成功能結構；

對所述襯底的背面進行刻蝕形成溝槽，所述刻蝕停止于所述第一犧牲層，所述溝槽相互連通且圍合成封閉圖形，所述襯底被所述溝槽包圍的部分作為支撐結構；及

刻蝕所述第一犧牲層，所述支撐結構隨著與所述支撐結構相接觸的所述第一犧牲層被刻蝕掉而脫落，形成背腔。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝槽的正投影圍成圓形或多邊形或網格型。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對所述襯底的背面進行刻蝕形成溝槽的步驟之前，所述方法還包括：

對所述襯底的背面進行減薄，減薄后的所述襯底的厚度范圍為250μm～450μm。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一犧牲層上形成功能結構的步驟具體包括：在所述第一犧牲層上依次形成疊設的第一導電層、第二犧牲層和第二導電層，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層為介質層，所述第一導電層和所述第二導電層通過所述第二犧牲層隔離；

在刻蝕所述第一犧牲層的同時刻蝕所述第二犧牲層，以在所述第一導電層和所述第二導電層之間形成空腔。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述襯底的正面形成第二導電層后，進行退火工藝，所述退火的溫度范圍可為900℃～1100℃，所述退火的時間范圍可為60min～150min。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述對所述襯底的背面進行刻蝕形成溝槽的步驟之前，所述方法還包括：

對所述第二導電層、所述第二犧牲層進行刻蝕形成貫穿所述第二導電層和所述第二犧牲層的接觸孔，在所述第二導電層上形成第二金屬電極，并通過所述接觸孔在所述第一導電層上形成第一金屬電極。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層均為氧化硅。

8.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層為摻雜的多晶硅層或金屬層。

9.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層與所述第二犧牲層之間設有氮化硅層，和/或，所述第二導電層與所述第二犧牲層之間設有氮化硅層，所有氮化硅層位于所述第二犧牲層的正投影區域。

10.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層中的其中一個為振膜，另一個為背板，所述背板上開設有通孔。