[發明專利]功率用半導體裝置

在審

• 申請號: 201910381937.0
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN110120375A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 藤野純司;石原三紀夫;新飼雅芳;原田啟行
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/28;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/48;H01L23/498;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金春實

1.一種功率用半導體裝置，其特征在于，具備：

電路基板；

功率用半導體元件，在一面形成電極，另一面與所述電路基板接合；

引線端子，一端側與所述電極接合，另一端側與外部電連接；以及

密封體，對所述引線端子的與所述電極接合的部分以及所述功率用半導體元件進行密封，

所述引線端子在所述一端側的端部處形成為隨著接近所述端部而遠離所述電路基板。

2.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述密封體覆蓋所述電路基板的上表面整體。

3.根據權利要求1或者2所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述引線端子的一端側與多個所述功率用半導體元件所具有的所述電極分別結合。

4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

施加到在所述密封體中與所述引線端子的所述端部的邊界部分的應力小于在介于所述引線端子與所述電路基板或者所述功率用半導體元件之間的密封體的厚度隨著接近所述端部而恒定的情況下施加到與所述端部的邊界部分的應力。

5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述引線端子在所述端部的附近彎曲。

6.根據權利要求1至5中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述引線端子隨著接近所述端部而壁厚變薄。

7.根據權利要求1至6中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述引線端子的包括與所述電極接合的部分在內的、與所述電路基板對置的部分彎曲。

8.根據權利要求1至7中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述密封體的線膨脹系數是所述引線端子的線膨脹系數與所述電路基板的線膨脹系數的中間的值。

9.根據權利要求1至8中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述電路基板的基體材料由陶瓷構成。

10.根據權利要求1至9中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述引線端子由銅板構成。

11.根據權利要求1至10中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述功率用半導體元件是絕緣柵雙極型晶體管、金屬氧化物半導體場效應晶體管、或者肖特基勢壘二極管。

12.根據權利要求1至11中的任意一項所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述功率用半導體元件由寬帶隙半導體材料形成。

13.根據權利要求12所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體材料是碳化硅、氮化鎵系材料以及金剛石中的任意材料。