[發明專利]阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請號： | 201910380046.3 | 申請日： | 2019-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN110112291B | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 王琦;楊棟梁;楊慧永;賀德衍 | 申請（專利權）人： | 蘭州大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京東方靈盾知識產權代理有限公司 11506 | 代理人： | 蘇向銀 |
| 地址： | 730000 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種阻變存儲器，包括底電極、頂電極和設置在所述底電極和頂電極之間的阻變層，其特征在于，所述阻變層由聚乙烯亞胺制備而成。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層由聚乙烯亞胺的無水乙醇溶液制備而成，其中，所述聚乙烯亞胺的濃度為8-15mg/ml。
3.根據權利要求2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述聚乙烯亞胺的濃度為10mg/ml。
4.根據權利要求1-3任一項所述的阻變存儲器，其特征在于，所述聚乙烯亞胺的分子量為5000-70000。
5.根據權利要求1-3任一項所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層的厚度為200-500nm。
6.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極為Pt電極。
7.根據權利要求6所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極的厚度為20-30nm。
8.根據權利要求1、6或7所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極為Ag電極。
9.根據權利要求8所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極的厚度為20-30nm。
10.根據權利要求1-3任一項所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極設置在襯底上，所述襯底選用玻璃襯底或是二氧化硅襯底。
11.一種權利要求1-10任一項所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上制備Pt電極作為底電極；
在所述底電極上旋涂聚乙烯亞胺溶液作為阻變層；
在所述阻變層上制備Ag電極作為頂電極，得到所述阻變存儲器。
12.根據權利要求11所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，采用電子束蒸發法在所述阻變層上制備Ag電極。
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