[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于PI型憶阻器的三階非自治混沌信號(hào)發(fā)生器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910378833.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110224809A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 包伯成;羅姣燕;陳成杰;祁建偉;陳墨;徐權(quán) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 常州大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04L9/00 | 分類(lèi)號(hào): | H04L9/00 |
| 代理公司: | 常州市英諾創(chuàng)信專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 于桂賢 |
| 地址: | 213164 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混沌信號(hào)發(fā)生器 憶阻器 三階 正弦電壓 電路結(jié)構(gòu) 混沌信號(hào) 二階 驅(qū)動(dòng) 引入 | ||
1.一種基于PI型憶阻器的三階非自治混沌信號(hào)發(fā)生器,其特征在于:包括正弦電壓信號(hào)源VS、電阻R、電容C、電感L,PI型憶阻器W,其中,
電阻R與電感L串聯(lián)后再與電容C并聯(lián)構(gòu)成二階RLC振蕩電路,正弦電壓信號(hào)源VS串聯(lián)在電阻R與電感L的串聯(lián)電路中作為二階RLC振蕩電路的驅(qū)動(dòng)電壓,PI型憶阻器W并聯(lián)在電容C兩端,得到三階非自治憶阻混沌電路,且將電感L兩端的電流記為iL,電容C兩端的電壓記為vC,PI型憶阻器W兩端的電流記為i,PI型憶阻器W兩端的電壓記為v。
2.如權(quán)利要求1所述的基于PI型憶阻器的三階非自治混沌信號(hào)發(fā)生器,其特征在于:所述PI型憶阻器W的等效電路模型包括電壓跟隨器U1、積分器U2、電阻Ra和Rb、電容C0、乘法器M1和M2以及負(fù)電阻Rc,其中,
電壓跟隨器U1的同向輸入端與非理想壓控型憶阻W的輸入端I直接相連,電壓跟隨器U1的反向輸入端連接到電壓跟隨器U1的輸出端,再串接電阻Ra,同時(shí),電阻Ra的另一端連接到積分器U2的反向輸入端,積分器U2的同向輸入端接地;由電阻Rb與電容C0組成的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)一端連接到積分器U2的反向輸入端,另一端連到積分器U2的輸出端;乘法器M1的兩個(gè)輸入端與積分器U2的輸出端相連,乘法器M1的輸出端連接乘法器M2的一個(gè)輸入端,乘法器M2的另一輸入端連接非理想壓控型憶阻W的輸入端I,負(fù)電阻Rc一端連接非理想壓控型憶阻W的輸入端I,另一端連接乘法器M2的輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的基于PI型憶阻器的三階非自治混沌信號(hào)發(fā)生器,其特征在于:所述PI型憶阻器W的等效電路模型的關(guān)系式為:
其中,m=Rb/Ra,g代表乘法器M1和M2的總增益,v與i分別代表憶阻兩端的電壓和電流,v0是C0兩端的電壓。
利用電路關(guān)系式(1),以及電路的拓?fù)潢P(guān)系和基爾霍夫定律可得到狀態(tài)方程為:
其中,v0、vC、iL分別為電容C0、C兩端的電壓和流經(jīng)電感L的電流,VS是正弦電壓信號(hào)源的幅值,ω是角速度。
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