[發明專利]單元電壓累積放電

有效

• 申請號: 201910378466.8
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN110473575B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: A·S·埃爾曼蘇里;D·L·平尼
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及單元電壓累積放電。描述用于單元電壓累積放電的方法、系統及裝置。鐵電存儲器單元的存儲體的一或多個區段可與一或多個存取線耦合。通過激活一或多個開關組件，可隔離存儲器單元的一或多個區段(可包含存儲器陣列及/或驅動器)。當經隔離時，可跨越與所述區段相關聯的存取線施加電壓以激活每一存儲器單元的存取裝置。通過激活相應存儲器單元的開關組件，可使所述存儲器單元的電容器放電，且然后可將所述隔離區段與所述多個存取線耦合。

交叉參考

本專利申請案主張2018年5月9日提交的標題為“單元電壓累積放電(CellVoltage Accumulation Discharge)”的美國專利申請案第15/975,624號的優先權，所述專利申請案轉讓給本發明的受讓人且以全文引用的方式明確并入本文中。

技術領域

技術領域涉及單元電壓累積放電。

背景技術

以下通常涉及操作存儲器陣列，且更具體地單元電壓累積放電。

存儲器裝置廣泛用于在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置中存儲信息。通過編程存儲器裝置的不同狀態來存儲信息。例如，二進制裝置具有兩種狀態，通常用邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統中，可存儲多于兩個狀態。為了存取所存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的存儲狀態。為了存儲信息，電子裝置的組件可在存儲器裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性或非易失性。即使在沒有外部電源的情況下，非易失性存儲器(例如，FeRAM)也可維持其所存儲的邏輯狀態達延長時間段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可能隨時間丟失其存儲狀態，除非其被外部電源周期性地刷新。FeRAM可使用與易失性存儲器類似的裝置架構，但由于使用鐵電電容器作為存儲裝置，因此可能具有非易失性性質。因此，與其它非易失性及易失性存儲器裝置相比，FeRAM裝置可具有改進的性能。

通常，除其它度量外，改進存儲器裝置通常還可包含增加存儲器單元密度、增加讀/寫速度、增加可靠性、增加數據保持、降低功率消耗或降低制造成本。存儲器架構或操作的改進可針對與使鐵電存儲器單元放電相關聯的功率功率消耗相關的問題。

發明內容

本發明描述一種方法。所述方法可包含通過去激活與多個第一存取線耦合的多個第一開關組件來將含多個區段的存儲體的第一鐵電存儲器單元區段與第二鐵電存儲器單元區段隔離，所述多個第一存取線與所述含多個區段的存儲體的所述第一鐵電存儲器單元區段及所述第二鐵電存儲器單元區段耦合。所述方法可進一步包含通過在隔離所述第一鐵電存儲器單元區段之后將電壓從電壓源施加到所述第一鐵電存儲器單元區段來激活所述第一鐵電存儲器單元區段的每一鐵電存儲器單元的存取裝置。

本發明描述另一方法。所述方法可包含確定已對存儲體的第一鐵電存儲器單元子集執行的存取操作的數目，且至少部分地基于確定存取操作的所述數目將所述存儲體的所述第一鐵電存儲器單元子集與第二鐵電存儲器單元子集隔離。所述方法可進一步包含至少部分地基于隔離所述第一鐵電存儲器單元子集來激活所述第一鐵電存儲器單元子集中的每一存儲器單元的存取裝置。

本發明描述一種設備。所述設備可包含鐵電存儲器單元的存儲體，所述存儲體包括多個區段，每一區段與多個第一存取線中的至少一者耦合；及多個第一開關組件，每一第一開關組件與和所述復數個第一存取線耦合的多個存取線驅動器中的一者耦合，所述多個第一開關組件經配置以隔離所述多個區段的子集。所述設備可進一步包含電壓源，所述電壓源與多個區段耦合且經配置以在所述多個區段的所述子集被隔離時激活所述多個區段的所述子集的至少一個鐵電存儲器單元的存取裝置。