[發明專利]一種快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法

有效

• 申請號: 201910378043.6
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN110095486B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 李閣平;韓福洲;劉承澤;袁福森;張英東;郭文斌;阿里·穆罕默德;顧恒飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: G01N23/203
• 分類號: G01N23/203;G01N23/20
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.一種快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，具體步驟如下：

步驟1）EBSD樣品的制備，主要包括：取樣、樣品表面研磨及機械拋光及去除表面殘余應力；

步驟2）電子背散射衍射分析技術采集樣品表面信息，具體方法為：采用裝配在掃描電子顯微鏡上的EBSD系統對樣品表面感興趣區域進行表征；

首先，設定EBSD系統中坐標系Z軸垂直樣品測試表面；然后用導電膠將樣品固定在預置傾斜70度的樣品臺上，標記樣品的宏觀坐標方向，并與EBSD系統坐標一一對應；最后通過EBSD技術，對樣品感興趣區域的晶粒位向信息進行收集；

步驟3）數據處理以及特定晶面呈現：

將步驟2）得到的數據通過HKL Channel 5的相應功能模塊中進行處理，獲取晶粒相關信息，包括極圖、反極圖、晶粒取向分布圖；

將步驟2）得到的數據在HKL Channel 5 的Tango模塊呈現樣品測試表面晶粒取向分布圖；

所述方法用于多個特定晶面的同時呈現，或者是特定晶面的共同作用的呈現，方法為：首先是按照步驟1）、步驟2）和步驟3）獲取特定晶面的取向信息，然后將各種特定晶面的crp文件依次載入Tango模塊，在通過選擇并集或者交集可同時獲取兩個特定晶面或者兩種特定晶面共同限定下的晶面分布特征。

2.按照權利要求1所述的快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，步驟1）中的取樣：用線切割設備切取EBSD樣品，其中樣品尺寸為：X方向尺寸10-15mm，Y方向尺寸為3-10mm，Z方向尺寸小于等于8mm，材料取樣測試面與樣品X，Y方向構成的平面平行。

3.按照權利要求1所述的快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，步驟1）中的樣品表面研磨及機械拋光的方法：切割好的樣品依次用150號、320號、800號和2000號的SiC砂紙研磨至樣品測試面平整，然后采用機械拋光，直至樣品表面呈鏡面。

4.按照權利要求1所述的快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，步驟1）中的去除表面殘余應力的方法：機械拋光后的樣品通過化學腐蝕、振動拋光或者電解拋光制備表面無污染、無應力殘留的EBSD樣品。

5.按照權利要求1所述的快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，步驟3）中特定晶面呈現的其中一種方法：通過Tango模塊下的grain determination功能可以獲取所有測試區域晶粒的取向信息，用歐拉角表示，根據每個晶粒的歐拉角可以得到相應的晶面偏離Z軸的角度，從而選取特定的晶面，然后通過Tango模塊和Mambo模塊對選取晶粒數據進行處理可以獲得相應的晶面取向分布特征以及信息。

6.按照權利要求1所述的快速呈現多晶材料特定晶面分布特征的方法，其特征在于，步驟3）中特定晶面呈現的其中另一種方法：通過Mambo模塊對數據處理分析可以獲取材料不同晶面取向分布的極圖表征，然后通過Mambo模塊中的Pole plot工具設定相應的角度偏差，選取相應的角度偏差下的晶粒，并生成相應的cpr格式文件，再通過Tango模塊及Mambo模塊對選取晶粒數據進行處理可獲得相應的特定晶面的取向分布特征。