[發(fā)明專利]磁場傳感器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910377513.7 | 申請日： | 2019-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN110456289B | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | M·莫茨 | 申請（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/07 | 分類號： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 鄭立柱 |
| 地址： | 德國諾伊*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁場 傳感器 裝置 | ||
1.一種磁場傳感器裝置(10；100)，具有：
芯片(13)，其中，所述芯片具有磁場傳感器(17；17A)和線圈(15；15A)；以及
引線框(11)，所述引線框由導(dǎo)電材料制成，其中，所述引線框(11)具有凹槽(12；12A)，
其中，所述線圈(15；15A)、所述磁場傳感器(17；17A)和所述凹槽(12；12A)布置成，使得在所述磁場傳感器(17；17A)和所述凹槽(12；12A)在由線圈(15；15A)的線匝確定的平面上的正交投影的情況中：
所述磁場傳感器(17；17A)布置在由所述線圈(15；15A)的外線匝包圍的表面(115)內(nèi)，
所述磁場傳感器(17；17A)的至少75％的敏感表面位于所述凹槽(12；12A)內(nèi)，并且
由所述線圈(15；15A)的外線匝包圍的所述表面(115)至少有25％位于所述凹槽(12；12A)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器裝置(10；100)，其中，在所述正交投影的情況中，所述磁場傳感器(17；17A)的敏感表面的至少90％位于所述凹槽(12；12A)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁場傳感器裝置(10；100)，其中，在所述正交投影的情況中，所述磁場傳感器(17；17A)的敏感表面完全位于所述凹槽(12；12A)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁場傳感器裝置(10；100)，其中，在所述正交投影的情況中，由所述線圈(15；15A)的外線匝包圍的所述表面(115)的至少40％位于所述凹槽(12；12A)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁場傳感器裝置(10；100)，其中，在至少一個方向(116)上，所述凹槽(12；12A)具有比由所述線圈(15；15A)的外線匝包圍的所述表面(115)更大的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁場傳感器裝置(100)，
其中，所述芯片(13)具有另一個線圈(15B)和另一個磁場傳感器(17B)，其中所述另一個線圈(15B)與所述線圈(15A)以差分布置電路連接，并且所述另一個磁場傳感器(17B)與所述磁場傳感器(17A)以差分布置電路連接，
其中，所述另一個線圈(15B)和所述另一個磁場傳感器(17B)被布置成，使得在所述另一個磁場傳感器(17B)在由所述另一個線圈(15B)的線匝確定的平面上的正交投影的情況中，所述另一個磁場傳感器(17B)的敏感表面位于由所述另一個線圈(15B)的外線匝包圍的表面內(nèi)。
7.一種磁場傳感器裝置(20；30)，包括：
芯片(13)，其中，所述芯片具有磁場傳感器(17)和線圈，其中，所述線圈(15)和所述磁場傳感器(17)布置成，使得所述磁場傳感器(17)在通過所述線圈(15；15A)的線匝確定的平面上的正交投影的情況中，所述磁場傳感器(17)的敏感表面位于由所述線圈(15)的外線匝包圍的表面(115)內(nèi)；以及
非導(dǎo)電載體(21)，其中，所述芯片(13)安裝在所述非導(dǎo)電載體(21)上；
其中，所述芯片(13)具有另一個線圈(15B)和另一個磁場傳感器(17B)，其中所述另一個線圈(15B)與所述線圈(15A)以差分布置電路連接，并且所述另一個磁場傳感器(17B)與所述磁場傳感器(17A)以差分布置電路連接，
其中，所述另一個線圈(15B)和所述另一個磁場傳感器(17B)被布置成，使得在所述另一個磁場傳感器(17B)在由所述另一個線圈(15B)的線匝確定的平面上的正交投影的情況中，所述另一個磁場傳感器(17B)的敏感表面位于由所述另一個線圈(15B)的外線匝包圍的表面內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場傳感器裝置(20；30)，其中，所述非導(dǎo)電載體(21)包括印刷電路板、陶瓷載體，球柵陣列和/或嵌入式晶片球柵陣列。
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