[發(fā)明專利]磺酸基芳香化合物的新應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910376027.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110042372B | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃遠(yuǎn)提;李衛(wèi)明;肖亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東東碩科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C18/30 | 分類號(hào): | C23C18/30;C23C18/40 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭彤;王雯雯 |
| 地址: | 510280 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磺酸基 芳香 化合物 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一種的磺酸基芳香化合物的新應(yīng)用,特別是涉及具有式(I)結(jié)構(gòu)的磺酸基芳香化合物或其鹽在非金屬基材表面化學(xué)鍍銅中的應(yīng)用。使用含有式(I)結(jié)構(gòu)的磺酸基芳香化合物的預(yù)浸液處理非金屬基材,再經(jīng)過活化步驟后,鈀離子能較為均勻地吸附在基材上,且吸附量大,即使在鈀離子濃度較低的活化液中進(jìn)行處理,也能保證鈀吸附量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及非金屬基材表面化學(xué)鍍銅領(lǐng)域,特別是涉及磺酸基芳香化合物的新應(yīng)用。
背景技術(shù)
目前,印制電路板的生產(chǎn)工藝中通常包括非金屬基材表面(尤其是孔壁)金屬化的過程。化學(xué)鍍銅是非金屬表面金屬化的一種常見方式,而化學(xué)鍍銅的工藝中需要在非金屬基材表面形成一層活性催化中心來催化銅離子在基材表面的沉積。鈀金屬因其良好的催化活性,并且能提高銅層與基材表面的結(jié)合力,而被一直作為化學(xué)鍍銅的活性催化中心。現(xiàn)階段,鈀催化體系主要有膠體鈀和離子鈀。相對(duì)于膠體鈀活化體系,離子鈀體系具有更好的穩(wěn)定性,但離子鈀中的鈀離子在非金屬基材上的附著力稍差并且容易分布不均勻,導(dǎo)致后續(xù)的化學(xué)鍍銅出現(xiàn)漏鍍。如果為了保證鈀離子能完全覆蓋基材表面而需要加大活化液中鈀離子的濃度,則會(huì)出現(xiàn)貴金屬鈀消耗量過大,成本過高的問題。
為了解決上述鈀離子不能完全覆蓋以及附著力差的問題,技術(shù)人員在活化之前會(huì)先進(jìn)行預(yù)浸,但現(xiàn)有的預(yù)浸液仍存在以下問題:調(diào)整基材表面電荷能力仍不足,導(dǎo)致后續(xù)活化步驟中仍存在鈀離子在基材表面的吸附量低和吸附不均勻的問題,仍然會(huì)增加鈀的消耗量,造成成本過高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,本發(fā)明提供一種磺酸基芳香化合物或其鹽在非金屬基材表面化學(xué)鍍銅中的應(yīng)用,使用含有式(I)結(jié)構(gòu)的磺酸基芳香化合物的預(yù)浸液處理非金屬基材,再經(jīng)過活化步驟后,鈀離子能較為均勻地吸附在基材上,且吸附量大,即使在鈀離子濃度較低的活化液中進(jìn)行處理,也能保證鈀吸附量。
具體技術(shù)方案為:
具有式(I)結(jié)構(gòu)的磺酸基芳香化合物或其鹽在非金屬基材表面化學(xué)鍍銅中的應(yīng)用;
其中,R1為取代或未取代的C8-C14烷基;
R2選自氧基、C1-C4烷基、—R3OR4—;
R3和R4分別獨(dú)立地選自C1-C2烷基。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述R1為羥基或鹵素取代的C8-C14烷基。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述R1為2-氯十二烷基、2-甲基十烷基、正十四烷基、3-乙基辛基、1-羥基辛基、正辛基;
R2選自氧基、亞甲基、異丙基、1,4-亞丁基、—R3OR4—。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述非金屬基材選自樹脂、樹脂和玻纖的混合物。
本發(fā)明還提供一種預(yù)浸液。
具體技術(shù)方案為:
一種預(yù)浸液,其原料包括具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物或其鹽;
其中,R1為取代或未取代的C8-C14烷基;
R2選自氧基、C1-C4烷基、—R3OR4—;
R3和R4分別獨(dú)立地選自C1-C2烷基。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述R1為羥基或鹵素取代的C8-C14烷基。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
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