[發(fā)明專利]含硅膜的蝕刻方法、計算機(jī)存儲介質(zhì)及含硅膜的蝕刻裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910375455.4
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN110504165A
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 折居武彥;淺田泰生;林軍;萩原彩乃;入江伸次;田內(nèi)啟士;和田翔
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 11277 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布>

1.一種含硅膜的蝕刻方法，其特征在于，

其是對基板上的含硅膜進(jìn)行蝕刻的方法，

使用至少包含F(xiàn)₂氣的第一含氟氣體和至少包含ClF₃氣體、IF₇氣體、IF₅氣體或SF₆氣體的第二含氟氣體兩者，對所述含硅膜進(jìn)行蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅膜的蝕刻方法，其特征在于，交替地供給所述第一含氟氣體和所述第二含氟氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含硅膜的蝕刻方法，其特征在于，交替地重復(fù)供給所述第一含氟氣體和所述第二含氟氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅膜的蝕刻方法，其特征在于，同時供給所述第一含氟氣體和所述第二含氟氣體。

5.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其存儲有在控制蝕刻裝置的控制部的計算機(jī)上運(yùn)行的程序，以通過該蝕刻裝置執(zhí)行權(quán)利要求1～4中的任一項所述的蝕刻方法。

6.一種含硅膜的蝕刻裝置，其特征在于，

其是對基板上的含硅膜進(jìn)行蝕刻的裝置，

具備：

腔室，其收納所述基板；和，

給氣部，其對所述含硅膜供給至少包含F(xiàn)₂氣的第一含氟氣體和至少包含ClF₃氣體、IF₇氣體、IF₅氣體或SF₆氣體的第二含氟氣體兩者。