[發明專利]用于倒裝芯片封裝件的多個底部填充劑

在審

• 申請號: 201910373631.0
• 申請日: 2019-05-07
• 公開（公告）號: CN110473796A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: M·R·庫卡尼;T·金
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 11245 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐東升;趙蓉民<國際申請>=<國際公布>

1.一種組裝倒裝芯片集成電路封裝件即倒裝芯片IC封裝件的方法，包括：

以一種圖案向其上具有多個焊接焊盤的封裝襯底的表面施加核心底部填充劑材料，所述圖案覆蓋的所述表面的區包括與IC管芯的核心區對應的區域，所述IC管芯具有耦接到所述IC管芯上的鍵合焊盤的凸塊，所述IC管芯將被附接到所述焊接焊盤，其中所述圖案不包括與所述IC管芯的拐角對應的所述表面的區域；

在所述施加之后，將所述IC管芯鍵合到所述封裝襯底包括以足夠的力將所述IC管芯向下推向所述封裝襯底，以使所述核心底部填充劑材料被所述凸塊橫向移位，使得所述凸塊到達以接觸所述焊接焊盤，其中在所述推動之后，所述IC管芯的所有所述拐角并非都在所述核心底部填充劑材料上；

進行邊緣底部填充，其包括在所述附接之后，分配包括可固化液體的第二底部填充劑材料以填充包括在所述IC管芯的所述拐角下方的區域，以及

固化所述第二底部填充劑材料，其中與所述核心底部填充劑材料的斷裂強度相比，在所述固化之后的所述第二底部填充劑具有更高的斷裂強度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述核心底部填充劑材料包括非導電膜即NCF，并且其中所述施加包括將所述NCF作為膜層壓體施加。

3.根據權利要求2所述的方法，其中施加所述NCF包括通過預先圖案化所述NCF并將所述NCF與至少一個預定位置對準來控制形狀和位置。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述核心底部填充劑材料包括非導電膏即NCP，并且其中所述施加包括使用毛細管施加所述NCP。

5.根據權利要求4所述的方法，其中施加所述NCP包括調節毛細管尺寸、形狀和分配圖案。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍵合還包括在所述推動之后并且在所述邊緣底部填充之前對所述凸塊進行回流。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍵合包括超聲波鍵合或熱壓鍵合。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述封裝襯底包括印刷電路板即PCB、引線框或另一IC管芯。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述凸塊包括焊料覆蓋的銅柱。

10.根據權利要求1所述的方法，其中與所述核心底部填充劑材料相比，在所述固化之后的所述第二底部填充劑的斷裂強度至少大50％。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述核心底部填充劑材料(110)遠離所述IC管芯的所述拐角延伸超出所述IC管芯。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述核心底部填充劑材料(110)不延伸超出所述IC管芯。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二底部填充劑材料包括環氧樹脂。

14.一種倒裝芯片集成電路封裝件即倒裝芯片IC封裝件，包括：

IC管芯，其具有耦接到所述IC管芯的頂表面上的鍵合焊盤的凸塊，所述IC管芯包括拐角和核心區，所述核心區域包括遠離所述拐角的所述管芯的中心；

封裝襯底，其具有封裝表面，在所述封裝表面上具有多個焊接焊盤；

其中所述凸塊附接到所述多個焊接焊盤；

所述IC管芯和所述封裝襯底之間的核心底部填充劑材料，其在所述核心區中位于所述IC管芯下方，但不在所述拐角下方，以及

所述IC管芯和所述封裝襯底之間的包括第二成分的第二底部填充劑材料，其位于所述IC管芯的所述拐角下方，其中與所述核心底部填充劑材料的斷裂強度相比，所述第二底部填充劑具有更高的斷裂強度。

15.根據權利要求14所述的倒裝芯片IC封裝件，其中所述核心底部填充劑材料包括非導電膜即NCF。