[發明專利]一種基于表面二氧化硅改性的高選擇性二氧化錫氣體傳感器在審
| 申請號： | 201910372263.8 | 申請日： | 2019-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN110186960A | 公開（公告）日： | 2019-08-30 |
| 發明（設計）人： | 張覃軼;孟鑫 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 喬宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高選擇性 氣體傳感器 氫氣傳感器 氫氣 改性 二甲基二乙氧基硅烷 致密 表面二氧化硅 化學氣相沉積 大分子氣體 表面沉積 二氧化錫 氫氣檢測 靈敏度 乙醇 丙酮 硅源 響應 | ||
1.一種基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器，其特征在于：它以二甲基二乙氧基硅烷為硅源，利用化學氣相沉積技術在SnO2氣體傳感器表面沉積一層致密SiO2層而得到。
2.根據權利要求1所述的高選擇性氫氣傳感器，其特征在于：化學氣相沉積溫度為500℃-600℃，沉積時間為2-10h。
3.根據權利要求1所述的高選擇性氫氣傳感器，其特征在于：化學氣相沉積溫度優選為550-600℃，沉積時間為4-8h。
4.權利要求1所述的基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器的制備方法，其特征在于：步驟如下：
提供SnO2氣體傳感器；
提供硅源物質二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)，控制CVD條件，利用CVD法在SnO2氣體傳感器表面沉積一層致密SiO2層。
5.根據權利要求4所述的基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)稱量適量的市售二氧化錫粉末，和印油快速用力研磨，將印油與粉末研磨均勻，使其充分混合；
2)將步驟1)所得的漿料利用絲網印刷法印制于空白氣體傳感器基片上；
3)置于干燥箱中，干燥使印油揮發；
4)將步驟3)所得氣體傳感器移至馬弗爐中，600℃燒結2小時，得到空白的SnO2氣體傳感器。
6.根據權利要求5所述的基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器的制備方法，其特征在于：步驟3)的干燥溫度為60℃，干燥1小時。
7.根據權利要求5所述的基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器的制備方法，其特征在于：步驟4)中先升溫為200℃，恒溫10min，然后升溫為400℃，恒溫10min，最后將馬弗爐溫度設置為600℃，恒溫2h。
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