[發明專利]具有新型量子壘結構的紫外LED外延結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201910368799.2 | 申請日： | 2019-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN110098294B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 鄭悠;李光 | 申請（專利權）人： | 深圳市洲明科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳協成知識產權代理事務所(普通合伙) 44458 | 代理人： | 章小燕 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 新型 量子 結構 紫外 led 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有新型量子壘層結構的紫外LED外延結構，所述紫外LED 外延結構由底向上依次包括：襯底、緩沖層、N 型鋁鎵氮層、發光層、電子阻擋層、P 型鋁鎵氮層和P 型氮化鎵層；其中，所述N 型鋁鎵氮層為AlaGa1-aN，鋁組分a的取值范圍為0a1；所述電子阻擋層為AlnGa1-nN,鋁組分n 的取值范圍為yn1；其特征在于：
所述發光層中包括至少3個周期的量子壘層和量子阱層，其中，所述量子阱層為AlbGa1-bN，鋁組分b 的取值范圍為0≤by；每個所述量子壘層由底向上依次包括AlxGa1-xN層、AlyGa1-yN層和AlzGa1-zN層；所述發光層中由底向上第一個量子壘層的AlxGa1-xN層、AlyGa1-yN層和AlzGa1-zN層的鋁分子含量為：x=y=a為固定值,z為變化值且由初始值y線性減小到b；由底向上最后一個量子壘層中的AlyGa1-yN層的鋁分子含量y為固定值, AlxGa1-xN層中鋁分子含量x由初始值b線性增加到y；AlzGa1-zN層鋁分子含量z由初始值y線性增加到n，其余所有的量子壘層的AlyGa1-yN層中鋁分子含量y為固定值，AlxGa1-xN層中鋁分子含量x由初始值b逐漸增加到y；AlzGa1-zN層中鋁分子含量z由初始值y逐漸減小到b。
2.根據權利要求1所述的具有新型量子壘層結構的紫外LED外延結構，其特征在于：所述AlyGa1-yN層鋁組分y為固定值且0y1。
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