[發(fā)明專利]一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構及方法

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• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN110058113A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設計）人: 俞洋;楊智明;徐康康;彭喜元
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 于歌

1.一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構，包括基于環(huán)形振蕩器的硅通孔測試電路，其特征在于，它還包括：用于降低環(huán)形振蕩器的頻率的RC電路。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構，其特征在于，基于環(huán)形振蕩器的硅通孔測試電路包括：選擇器MUX1、選擇器MUX2、反相器G1、反相器G2、反相器G3、與門電路和計數(shù)器；

選擇器MUX2的信號輸出端連接1號硅通孔的一端，1號硅通孔的另一端連接反相器G1的信號輸入端，反相器G1的信號輸出端連接反相器G2的信號輸入端，反相器G2的信號輸出端連接反相器G3的信號輸入端，反相器G3的信號輸出端連接選擇器MUX1的測試信號輸入端，選擇器MUX1的信號輸出端連接2號硅通孔的一端，2號硅通孔的另一端連接選擇器MUX2的測試信號輸入端，

與門電路用于將2號硅通孔的另一端的輸出信號與高電平脈沖信號相與，

計數(shù)器用于記錄與門電路輸出信號的數(shù)值。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構，其特征在于，RC電路包括：電容C、電阻R1和電阻R2；

電阻R1和電阻R2串聯(lián)在反相器G1和反相器G2之間的通路上，

電容C并聯(lián)在反相器G2與電阻R1形成的串聯(lián)電路的兩端。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構，其特征在于，2號硅通孔的另一端同時還連接與門電路的一個信號輸入端。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試結構，其特征在于，與門電路的信號輸出端連接計數(shù)器的信號輸入端。

6.一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試方法，該方法通過基于環(huán)形振蕩器的硅通孔測試電路實現(xiàn)，該硅通孔測試電路包括：選擇器MUX1、選擇器MUX2、反相器G1、反相器G2、反相器G3、與門電路和計數(shù)器；

選擇器MUX2的信號輸出端連接1號硅通孔的一端，1號硅通孔的另一端連接反相器G1的信號輸入端，反相器G1的信號輸出端連接反相器G2的信號輸入端，反相器G2的信號輸出端連接反相器G3的信號輸入端，反相器G3的信號輸出端連接選擇器MUX1的測試信號輸入端，選擇器MUX1的信號輸出端連接2號硅通孔的一端，2號硅通孔的另一端連接選擇器MUX2的測試信號輸入端，與門電路用于將2號硅通孔的另一端的輸出信號與高電平脈沖信號相與，計數(shù)器用于記錄與門電路輸出信號的數(shù)值；

其特征在于，所述方法為：

利用RC電路降低環(huán)形振蕩器的頻率，

采集高電平脈沖信號持續(xù)期間內(nèi)計數(shù)器的記數(shù)值k，并通過一下公式獲得環(huán)形振蕩器的周期T：

T＝t/k

其中，t表示高電平脈沖信號的持續(xù)時間，

判斷T與兩個硅通孔無故障時的周期是否一致，是則表示兩個硅通孔均無故障，否則表示兩個硅通孔中至少一個存在漏電故障。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種針對硅通孔漏電故障的綁定后硅通孔測試方法，其特征在于，RC電路包括：電容C、電阻R1和電阻R2；

電阻R1和電阻R2串聯(lián)在反相器G1和反相器G2之間的通路上，

電容C并聯(lián)在反相器G2與電阻R1形成的串聯(lián)電路的兩端。