[發明專利]通過電線放電加工實施SiC材料切片的方法

有效

• 申請號: 201910367570.7
• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN110435022B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: F.J.桑托斯洛德里格斯;K.德拉盧特;C.弗里扎;M.海因里奇;N.奧賈;R.魯普
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D7/04;H01L21/306
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;申屠偉進

1.一種由從SiC晶錠切割的較厚的基底SiC晶片出產較薄產品晶片的方法，所述方法包括：

利用支撐襯底來支撐所述基底SiC晶片；

在由所述支撐襯底支撐所述基底SiC晶片時，作為電線放電加工（WEDM）過程的部分，使用引線在與所述基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿所述基底SiC晶片，以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離，所述產品晶片當從所述基底SiC晶片被切割時，被附接到所述支撐襯底，其中，所述WEDM過程包括在所述引線與所述基底SiC晶片之間施加介電液體，并且在引線切穿所述基底SiC晶片時，在橫向于所述基底SiC晶片的側面的方向上移動所述引線；以及

在所述WEDM過程期間，在所述引線切穿所述基底SiC晶片時，旋轉所述基底SiC晶片。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之后，在所述產品晶片背對著所述支撐襯底的表面上形成外延SiC層。

3.根據權利要求2所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之后，并且在形成所述外延SiC層之前，處理所述產品晶片背對著所述支撐襯底的表面，以去除由WEDM過程引起的表面損壞。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之前，在所述基底SiC晶片的第一主表面上形成外延SiC層，

其中利用所述支撐襯底支撐所述基底SiC晶片包括：將所述支撐襯底附接到所述外延SiC層背對著所述基底SiC晶片的表面，使得所述外延SiC層插入在所述支撐襯底與所述基底SiC晶片之間，

其中在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之后，所述產品晶片包括所述外延SiC層的至少一部分。

5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之后，處理通過所述WEDM過程切割的外延SiC層的表面，以去除由所述WEDM過程引起的表面損壞。

6.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之前，在所述外延SiC層中形成一個或多個摻雜區域。

7.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之前，將附加的支撐襯底附接到所述基底SiC晶片背對著所述外延SiC層的表面，使得具有所述外延SiC層的基底SiC晶片插入在所述支撐襯底與所述附加的支撐襯底之間。

8.根據權利要求1所述的方法，其中通過所述WEDM過程將從所述基底SiC晶片分離的產品晶片切割成小于100 μm的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中通過所述WEDM過程將從所述基底SiC晶片分離的產品晶片切割成小于20 μm的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在切穿所述基底SiC晶片以將所述產品晶片從所述基底SiC晶片分離之后，利用相同或不同的支撐襯底來重復支撐所述基底SiC晶片；以及

在重復支撐所述基底SiC晶片之后，作為新的WEDM過程的部分，使用相同或不同的引線切穿所述基底SiC晶片，以將新的產品晶片從所述基底SiC晶片分離，所述新的產品晶片當從所述基底SiC晶片被切割時，被附接到所述支撐襯底。