[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910367110.4 | 申請日: | 2019-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN110501849A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樸度昤;李瑟雨 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 11286 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 劉燦強;張逍遙<國際申請>=<國際公布> |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素晶體管 第一數(shù)據(jù) 像素電極 像素 主像素電極 顯示裝置 電連接 數(shù)據(jù)線 補償電極 方向延伸 像素間隔 疊置 線疊 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
第一像素晶體管;
第一柵極線,電連接到所述第一像素晶體管;
第一數(shù)據(jù)線,電連接到所述第一像素晶體管;
第一像素電極,電連接到所述第一像素晶體管,并且被構(gòu)造為在平面圖上與所述第一數(shù)據(jù)線疊置,所述第一像素電極包括:第一主像素電極;第一接觸電極,接觸所述第一像素晶體管;第一連接電極,將所述第一主像素電極與所述第一接觸電極連接;以及第一補償電極,在平面圖上從所述第一接觸電極延伸,與所述第一連接電極間隔開,并且與所述第一數(shù)據(jù)線疊置;以及
第二數(shù)據(jù)線,被構(gòu)造為在平面圖上與所述第一像素電極疊置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第二像素電極,在第一方向上與所述第一像素電極間隔開;
第二像素晶體管,電連接到所述第二像素電極和所述第二數(shù)據(jù)線;以及
第二柵極線,電連接到所述第二像素晶體管,
其中,所述第二像素電極包括:第二主像素電極;第二接觸電極,接觸所述第二像素晶體管;第二連接電極,將所述第二主像素電極與所述第二接觸電極連接;以及第二補償電極,在平面圖上從所述第二接觸電極延伸,與所述第二連接電極間隔開,并且與所述第二數(shù)據(jù)線疊置,
其中,補償電容形成在所述第二補償電極與所述第二數(shù)據(jù)線之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一像素晶體管包括從所述第一柵極線延伸的控制電極、從所述第一數(shù)據(jù)線延伸的第一電極以及連接到所述第一接觸電極的第二電極,
其中,所述第一電極的一部分在平面圖上與所述第二主像素電極疊置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,第一電容形成在所述第二數(shù)據(jù)線與所述第二像素電極之間,
其中,第二電容是形成在所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二像素電極之間的電容和形成在所述第一電極與所述第二像素電極之間的電容的總和,并且
其中,所述第一電容等于所述第二電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第一電容包括形成在所述第二數(shù)據(jù)線與所述第二主像素電極之間的電容和所述補償電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一柵極線和所述第二柵極線被構(gòu)造為接收相同的信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一補償電極在平面圖上設(shè)置在所述第一連接電極與所述第二主像素電極之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括設(shè)置在所述第一像素電極與所述第二像素電極之間的像素共電極,其中,所述第一補償電極在平面圖上設(shè)置在所述第一連接電極與所述像素共電極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一連接電極包括第一子連接電極和第二子連接電極,
其中,所述第一子連接電極在平面圖上與所述第一數(shù)據(jù)線疊置,并且
其中,所述第二子連接電極在平面圖上與所述第二數(shù)據(jù)線疊置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線被構(gòu)造為接收不同極性的數(shù)據(jù)電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910367110.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:液晶顯示裝置
- 下一篇:陣列基板和液晶顯示裝置及驅(qū)動方法
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 用于虛擬機的日志結(jié)構(gòu)化卷加密
- 響應(yīng)于第二讀取請求的第一數(shù)據(jù)
- 數(shù)據(jù)管理方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置
- 一種數(shù)據(jù)處理方法和裝置
- 一種基于NVDIMM的數(shù)據(jù)寫緩存方法及其裝置
- 饋送服務(wù)引擎
- 數(shù)據(jù)處理方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)
- 一種用于電力數(shù)據(jù)分析的智能鎖
- 數(shù)據(jù)存儲方法、裝置、計算機可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備
- 數(shù)據(jù)管理方法、裝置、設(shè)備與計算機可讀存儲介質(zhì)





