[發(fā)明專利]一種照明電路的控制電路、控制方法及照明電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910366034.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110198582B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龍昊;吳忠武;何穎彥;任遠(yuǎn)程;周遜偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杰華特微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B45/00 | 分類號(hào): | H05B45/00;H05B45/10;H05B47/155 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310030 浙江省杭州市西湖區(qū)三墩鎮(zhèn)*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 照明 電路 控制電路 控制 方法 | ||
1.一種照明電路的控制電路,其特征在于:交流輸入經(jīng)整流后得到整流電壓,其中整流電壓的低電位端作為參考地,所述照明電路的負(fù)載由N個(gè)燈串串聯(lián)組成,N為大于等于2的自然數(shù);
所述整流電壓處于第k電壓范圍內(nèi)時(shí),所述控制電路控制從第一燈串到第k燈串導(dǎo)通,其余燈串關(guān)斷,其中,k為1~N的自然數(shù),第k電壓范圍為大于第k電壓,小于第k+1電壓;第k+1電壓大于第k電壓;
所述控制電路檢測(cè)到交流輸入接入調(diào)光器,從調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)刻開始對(duì)第一時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí),根據(jù)所述整流電壓的電壓范圍,控制相應(yīng)的從所述第一燈串到第q燈串導(dǎo)通,在第一時(shí)間內(nèi),當(dāng)所述整流電壓大于第q+1電壓加上第一滯回電壓,控制相應(yīng)的從所述第一燈串到第q+1燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷,當(dāng)從所述第一燈串到第q+1燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷時(shí),當(dāng)所述整流電壓小于第q+1電壓減去第二滯回電壓,控制從所述第一燈串到第q燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷;
或/和當(dāng)所述從所述第一燈串到第q燈串導(dǎo)通,在第一時(shí)間內(nèi),當(dāng)所述整流電壓小于第q電壓減去第三滯回電壓時(shí),控制從所述第一燈串到第q-1燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷,當(dāng)從所述第一燈串到第q-1燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷時(shí),當(dāng)所述整流電壓大于第q電壓加上第四滯回電壓,控制從所述第一燈串到第q燈串導(dǎo)通,其余關(guān)斷;
其中,所述第一滯回電壓和/或所述第二滯回電壓和/或所述第三滯回電壓和/或所述第四滯回電壓大于等于零, q為1~N的自然數(shù)中的一個(gè);
包括電壓檢測(cè)電路和電流控制電路,所述電壓檢測(cè)電路的兩個(gè)輸入端分別連接到所述整流電壓的高電位端和低電位端,所述電流控制電路接收所述電壓檢測(cè)電路的輸出電壓;所述整流電壓的高電壓端經(jīng)過單向?qū)ㄔB接到第一燈串的第一端,所述第一燈串的第二端通過第一開關(guān)模塊連接到參考地,第2~N燈串的第二端分別通過第2~N單向?qū)ㄔB接到第2~N開關(guān)模塊,所述電流控制電路的輸出電壓連接于第1~N開關(guān)模塊的控制端;
所述電壓檢測(cè)電路通過檢測(cè)所述整流電壓,并判斷所述交流輸入端是否接入調(diào)光器;
所述電流控制電路通過控制第k開關(guān)模塊導(dǎo)通,控制其余開關(guān)模塊關(guān)斷,使得從所述第一燈串到所述第k燈串導(dǎo)通,其余燈串關(guān)斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明電路的控制電路,其特征在于:當(dāng)從所述第一燈串到第m燈串導(dǎo)通時(shí),所述第一燈串到第m燈串的電流隨著所述整流電壓的上升而下降,所述m為1~N的自然數(shù)中的任意1個(gè)或多個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的照明電路的控制電路,其特征在于:所述第1~N開關(guān)模塊為第1~N MOS,所述第1~N MOS的柵極為所述第1~N開關(guān)模塊的控制端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的照明電路的控制電路,其特征在于:所述照明電路包括N個(gè)采樣電阻,第N MOS的第一端經(jīng)過第N采樣電阻連接到所述參考地,第1~(N-1) MOS的第一端分別經(jīng)過第1~(N-1)采樣電阻連接到所述第N MOS的第一端,所述電流控制電路接收所述第1~N MOS的第一端電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杰華特微電子股份有限公司,未經(jīng)杰華特微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910366034.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





