[發明專利]一種含芴的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201910365325.2
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN111848339A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 張雙;張曉龍;譚奇
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: C07C25/24
• 分類號: C07C25/24;C07C255/52;C07C22/08;C07C255/31;C07C13/62;C07C43/215;C07D213/16;C07C43/285;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種含芴的化合物，其特征在于，所述含芴的化合物的結構如式I所示：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂獨立地選自氫、鹵素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一種；

X₁和X₂獨立地選自亞烷基或取代的亞烷基中的任意一種。

2.根據權利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂獨立地選自鹵素原子、氰基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、芳基或取代的芳基中的任意一種；

優選地，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂獨立地選自氟原子、氰基、三氟甲基、乙烯基、二氰基乙烯基、苯基、芴基或三氟甲基取代的苯基中的任意一種。

3.根據權利要求1或2所述的含芴的化合物，其特征在于，X₁和X₂獨立地選自亞烷基、氟取代的亞烷基或氰基取代的亞烷基中的任意一種；

優選地，X₁和X₂獨立地選自亞甲基、二氟亞甲基或二氰基亞甲基中的任意一種。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的含芴的化合物，其特征在于，所述含芴的化合物包括中的任意一種；

優選地，所述含芴的化合物為中的任意一種。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的含芴的化合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括將化合物a與化合物b在鈀催化劑催化下進行偶聯反應得到所述含芴的化合物，其中化合物a的結構為化合物b的結構為R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂以及X₁和X₂與權利要求1限定的范圍相同。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述化合物a和化合物b的摩爾比為1:1～1.2；

優選地，所述鈀催化劑包括四(三苯基膦)鈀和/或醋酸鈀；

優選地，以摩爾用量計算，所述鈀催化劑的用量為化合物a的0.1％～5％；

優選地，所述偶聯反應在鎂存在下進行；

優選地，所述化合物a與鎂的摩爾比為1:1.1～1.5。

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述偶聯反應的溶劑為乙醚和/或四氫呋喃；

優選地，所述偶聯反應在保護性氣體保護下進行；

優選地，所述保護性氣體包括氮氣、氖氣或氬氣中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述偶聯反應的溫度為30～100℃；

優選地，所述偶聯反應的時間為20～100h。