[發(fā)明專利]一種雙層低頻晶振隔振裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910364903.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN109973576B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翁俊;王龍;嚴(yán)洲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京無(wú)線電測(cè)量研究所
• 主分類號(hào): F16F7/104
• 分類號(hào): F16F7/104;F16F7/00
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

本發(fā)明提出了一種雙層低頻晶振隔振裝置，包括：安裝底板、中間框架以及晶振安裝架；安裝底板通過(guò)底部隔振器與中間框架連接；晶振安裝架通過(guò)多個(gè)懸掛彈簧吊設(shè)于中間框架內(nèi)。本發(fā)明提供的雙層低頻晶振隔振裝置，安裝底板與中間框架、中間框架與晶振安裝架均進(jìn)行隔振設(shè)計(jì)，形成了獨(dú)立雙層隔振結(jié)構(gòu)，克服了插件內(nèi)部空間小所導(dǎo)致的隔振與抗沖擊間的矛盾，同時(shí)利用對(duì)稱懸掛的設(shè)計(jì)進(jìn)行二級(jí)隔振，不僅避免了二級(jí)隔振自由度間的耦合，還使晶振二級(jí)隔振的固有頻率下降，不僅增大隔振帶寬，還使隔振效率極大改善。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種雙層低頻晶振隔振裝置。

背景技術(shù)

振動(dòng)工程中，隔振器等隔振裝置作為振動(dòng)能量的隔離吸收裝置，在抵御振動(dòng)沖擊、保護(hù)設(shè)備結(jié)構(gòu)方面具有廣泛的應(yīng)用。

晶振等電子元器件在振動(dòng)條件下相位噪聲急劇惡化，影響其電氣性能，因此需進(jìn)行隔振設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種雙層低頻晶振隔振裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種雙層低頻晶振隔振裝置，包括：安裝底板、中間框架以及晶振安裝架；安裝底板通過(guò)底部隔振器與中間框架連接；晶振安裝架通過(guò)多個(gè)懸掛彈簧吊設(shè)于中間框架內(nèi)。

本方案中，安裝底板與中間框架、中間框架與晶振安裝架均進(jìn)行隔振設(shè)計(jì)，形成了獨(dú)立雙層隔振結(jié)構(gòu)，克服了插件內(nèi)部空間小所導(dǎo)致的隔振與抗沖擊間的矛盾，同時(shí)利用彈簧懸掛的設(shè)計(jì)進(jìn)行二級(jí)隔振，不僅避免了二級(jí)隔振自由度間的耦合，還使晶振二級(jí)隔振的固有頻率下降，不僅增大隔振帶寬，還使隔振效率極大改善。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，懸掛彈簧為兩組，兩組懸掛彈簧上下對(duì)稱設(shè)置，并且每組中的多個(gè)懸掛彈簧沿晶振安裝架的周向均勻分布。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，述底部隔振器包括：上下相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)連接板，兩個(gè)連接板分別與安裝底板以及中間框架連接；隔振彈簧，隔振彈簧與上下對(duì)應(yīng)的兩個(gè)連接板同時(shí)連接。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，兩個(gè)連接板上設(shè)有多個(gè)通孔，隔振彈簧橫向布置且依次上下分別穿過(guò)兩個(gè)連接板上的通孔，以實(shí)現(xiàn)隔振彈簧與連接板的連接。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，底部隔振器為多個(gè)且多個(gè)底部隔振裝置沿晶振安裝架的周向均勻分布。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，還包括：多個(gè)阻尼限位繩，阻尼限位繩的兩端分別與中間框架以及晶振安裝架連接。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，多個(gè)阻尼限位繩前后對(duì)稱排列；和/或多個(gè)阻尼限位繩左右對(duì)稱排列。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，中間框架上設(shè)有至少一個(gè)一級(jí)質(zhì)量調(diào)整模塊，一級(jí)質(zhì)量調(diào)整模塊固設(shè)于中間框架的底部且在豎直方向上與中間框架底部的幾何中心重合。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，晶振安裝架上設(shè)有至少一個(gè)二級(jí)質(zhì)量調(diào)整模塊，二級(jí)質(zhì)量調(diào)整模塊固設(shè)于晶振安裝架的底部且在豎直方向上與晶振安裝架底部的幾何中心重合。

在上述任一技術(shù)方案中，優(yōu)選地，還包括：彈性限位塊，固設(shè)于中間框架的底部且設(shè)于相鄰兩個(gè)底部隔振器之間。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述部分中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的雙層低頻晶振隔振裝置的立體示意圖；

圖2為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的雙層低頻晶振隔振裝置的俯視示意圖；

圖3為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的雙層低頻晶振隔振裝置的側(cè)視示意圖；