[發(fā)明專利]點蒸發(fā)源及蒸鍍設備

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910364660.0
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN111850478A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 趙樹利
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種點蒸發(fā)源，其特征在于，包括用于容納蒸發(fā)材料的坩堝本體和端蓋，所述坩堝本體的頂端具有開口，所述端蓋蓋合在所述坩堝本體的開口處，所述端蓋上設置有多個蒸發(fā)口部，所述多個蒸發(fā)口部排成一列，整列蒸發(fā)口部位于同一平面內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點蒸發(fā)源，其特征在于，多個所述蒸發(fā)口部凸出于所述端蓋的上表面，設置于所述坩堝本體的中軸線兩側(cè)的蒸發(fā)口部均朝背離所述中軸線的方向傾斜布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的點蒸發(fā)源，其特征在于，設置于所述坩堝本體的中軸線兩側(cè)的蒸發(fā)口部相對于所述中軸線的傾斜角度為2°～15°。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的點蒸發(fā)源，其特征在于，設置于所述坩堝本體的中軸線兩側(cè)的蒸發(fā)口部的傾斜角度沿遠離所述中軸線的方向逐漸增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的點蒸發(fā)源，其特征在于，每個所述蒸發(fā)口部具有一開口端面，相鄰兩個所述蒸發(fā)口部的開口端面的中心之間的距離l為5cm～10cm。

6.一種蒸鍍設備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的點蒸發(fā)源。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍設備，其特征在于，所述蒸鍍設備還包括蒸鍍腔室，所述蒸鍍腔室上設置有多個所述點蒸發(fā)源，多個所述點蒸發(fā)源對稱設置于所述蒸鍍腔室的幅長方向的兩側(cè)腔室壁上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍設備，其特征在于，所述蒸鍍設備還包括用于傳輸鍍膜基板的傳輸機構(gòu)，所述坩堝本體相對于豎直方向以一定傾斜角度α設置在腔室壁上，所述傾斜角度α為28°～43°，且所述坩堝本體的中軸線位于垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向的平面內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍設備，其特征在于，每個所述點蒸發(fā)源的所有蒸發(fā)口部排成一列，整列蒸發(fā)口部位于垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向的平面內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的蒸鍍設備，其特征在于，每個所述點蒸發(fā)源具有奇數(shù)個蒸發(fā)口部，設置于所述坩堝本體的中軸線上的蒸發(fā)口部與所述傳輸機構(gòu)之間的距離為L₁，設置于所述坩堝本體的中軸線上的蒸發(fā)口部與所述傳輸機構(gòu)的中垂面之間的距離為L₂，所述L₁與所述L₂的比值為1.07～1.88：1，其中，所述中垂面平行于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向。