[發(fā)明專利]一種自適應(yīng)恒流裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910363969.8
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN110032233A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹志剛;郭偉峰;李照華;郭東劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市明微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/46
• 分類號(hào): G05F1/46;G05F1/565
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 劉延喜

1.一種自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，包括：檢測(cè)模塊、儲(chǔ)能模塊、電壓調(diào)節(jié)模塊和恒流控制模塊；

所述檢測(cè)模塊分別與發(fā)光二極管裝置和所述儲(chǔ)能模塊連接，用于檢測(cè)所述發(fā)光二極管裝置中的電流為非恒流狀態(tài)并發(fā)送儲(chǔ)能控制信號(hào)給所述儲(chǔ)能模塊；

所述儲(chǔ)能模塊與所述電壓調(diào)節(jié)模塊連接，用于根據(jù)所述儲(chǔ)能控制信號(hào)進(jìn)行充放電并控制所述電壓調(diào)節(jié)模塊抽取電流；

所述電壓調(diào)節(jié)模塊與所述恒流控制模塊連接，用于抽取基準(zhǔn)電流源中的電流，以調(diào)整所述恒流控制模塊的基準(zhǔn)電壓；

所述恒流控制模塊與所述發(fā)光二極管裝置連接，用于調(diào)節(jié)預(yù)設(shè)的所述發(fā)光二極管裝置的電流的上限值使所述發(fā)光二極管的電流維持在恒定的范圍之內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，

所述檢測(cè)模塊包括：比較器；

所述比較器用于將正向輸入端輸入的電壓與負(fù)向輸入端輸入的電壓進(jìn)行比較，輸出有效電平電壓信號(hào)；

所述儲(chǔ)能模塊包括：開關(guān)和電容；

所述開關(guān)與所述比較器連接，用于接收到所述有效電平電壓信號(hào)后導(dǎo)通，使所述電容器進(jìn)行充電以控制所述電壓調(diào)節(jié)模塊抽取電流；

所述電壓調(diào)節(jié)模塊為壓控電流源，用于從所述基準(zhǔn)電流源中抽取電流，以降低所述恒流控制模塊輸入端的基準(zhǔn)電壓；

所述恒流控制模塊，用于調(diào)節(jié)所述發(fā)光二極管裝置中電流的上限值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，所述電容器充電的電壓與所述有效電平電壓信號(hào)的占空比成正比例關(guān)系。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，所述恒流控制模塊包括：運(yùn)算放大器X、場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和電阻R0；

所述運(yùn)算放大器X的正向輸入端分別于所述第一電阻R1、第二電阻R2和所述電壓調(diào)節(jié)模塊連接，所述運(yùn)算放大器X的負(fù)向輸入端分別與所述檢測(cè)模塊、電阻R0的一端以及所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的源級(jí)S連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的柵極G連接；

所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的漏極D與所述發(fā)光二極管裝置連接；

所述第一電阻R1的另一端輸入基準(zhǔn)源信號(hào)；

所述第二電阻R2的一端與所述第一電阻R1的一端連接，所述第二電阻R2的另一端分別與所述第三電阻R3的一端以及與所述檢測(cè)模塊連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，R2<<R3。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，所述電壓調(diào)節(jié)模塊為壓控電流源Q；

所述壓控電流源Q的控制端與所述儲(chǔ)能模塊連接，所述壓控電流源Q的輸入端與所述運(yùn)算放大器X的正向輸入端連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，所述檢測(cè)模塊包括：比較器Y和上拉電阻R’；

所述比較器Y的正向輸入端分別與所述運(yùn)算放大器X的負(fù)向輸入端、所述電阻R0的一端以及所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的源極連接，所述比較器Y的負(fù)向輸入端均與所述第二電阻R2的另一端、所述第三電阻R3的一端連接，所述比較器Y的輸出端與分別與所述儲(chǔ)能模塊和所述上拉電阻R’的一端連接；

所述上拉電阻R'的另一端與電源連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)恒流裝置，其特征在于，所述儲(chǔ)能模塊包括：開關(guān)M2、電容C1、第四電阻R4、第五電阻R5和第六電阻R6；

所述電容C1的一端分別與所述第五電阻R5的一端和所述開關(guān)M2的漏極D連接；

所述第四電阻R4的一端與所述開關(guān)M2的源極S連接，所述第四電阻R4的第二端與電源輸入端連接；

所述第六電阻R6的一端與所述開關(guān)M2的柵極G連接，所述第六電阻R6的另一端與所述檢測(cè)模塊連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求4至7任一項(xiàng)所述的自適應(yīng)的恒流裝置，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管為NMOS管或者為NPN三極管。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自適應(yīng)的恒流裝置，其特征在于，所述開關(guān)為PMOS管、NMOS管、PNP管或NPN管。