[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
申請號: | 201910363951.8 | 申請日: | 2019-04-30 |
公開(公告)號: | CN110071160A | 公開(公告)日: | 2019-07-30 |
發明(設計)人: | 李音;張潔 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15;H04M1/02 |
代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 430205 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 顯示區 透光區 顯示面板 像素單元 顯示裝置 陣列排布 下傳感器 預留區 傳感器 保證 | ||
本發明實施例公開了一種顯示面板及顯示裝置。其中顯示面板包括第一顯示區、圍繞第一顯示區的透光區和圍繞透光區的第二顯示區,透光區位于第一顯示區和第二顯示區之間;第一顯示區包括陣列排布的多個第一像素單元,第二顯示區包括陣列排布的多個第二像素單元,透光區無像素單元,且透光區用于傳感器預留區。本發明實施例可以在保證屏下傳感器光線充足的前提下,有效提高顯示面板的屏占比。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著手機等包括顯示面板和攝像頭的消費電子產品的發展,全面屏幾乎占據了消費品市場中很大的比例,并且成為開發方向的一個熱門話題。以智能手機為例,隨著科技的發展,智能手機使用越來越廣泛,功能也越來越多,已經成為人們日常生活的必備的電子設備。目前,智能手機的屏占比較低,使得用戶體驗欠佳。
雖然全面屏產品有諸多好處,但是隨著屏幕尺寸的加大,也為手機設計帶來了眾多問題。其中最大矛盾在于屏占比的增加會減少手機的上下黑邊區域,因此設置在手機上端的傳感器(諸如前置攝像頭)便沒有了設置空間。為了實現全面屏設計,一種研究方向是將各種傳感器設置在屏下,但對于攝像頭,對光線要求較高,如何進一步增大顯示區且不影響屏下攝像頭的視野,提高屏占比,實現真正全面屏成為技術難題。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板及顯示裝置,可以在保證屏下傳感器光線充足的前提下,有效提高顯示面板的屏占比。
第一方面,本發明實施例提供一種顯示面板,包括第一顯示區、圍繞所述第一顯示區的透光區和圍繞所述透光區的第二顯示區,所述透光區位于所述第一顯示區和所述第二顯示區之間;
所述第一顯示區包括陣列排布的多個第一像素單元,所述第二顯示區包括陣列排布的多個第二像素單元,所述透光區無像素單元,且所述透光區用于傳感器預留區。
第二方面,本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括上述任意一種顯示面板,還包括:
傳感器模塊,設置于所述顯示面板的透光區,且位于所述顯示面板的背光側,所述傳感器模塊的感光面朝向所述顯示面板。
本發明實施例提供的顯示面板,包括第一顯示區、圍繞第一顯示區的透光區和圍繞透光區的第二顯示區,透光區位于第一顯示區和第二顯示區之間;第一顯示區包括陣列排布的多個第一像素單元,第二顯示區包括陣列排布的多個第二像素單元,透光區無像素單元,且透光區用于傳感器預留區。通過在第一顯示區和第二顯示區之間設置圍繞第一顯示區的透光區,其中透光區不設置像素單元,可以透射外界光線進入設置于顯示面板背光側的傳感器(例如攝像頭),實現在保證屏下傳感器光線充足的前提下,有效提高顯示面板的屏占比。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的另一種顯示面板的結構示意圖;
圖3為圖1中沿剖線EE′的一種剖面結構示意圖;
圖4為圖1中沿剖線EE′的另一種剖面結構示意圖;
圖5為圖1中沿剖線EE′的又一種剖面結構示意圖;
圖6為本發明實施例提供的又一種顯示面板的局部結構示意圖;
圖7為本發明實施例提供的又一種顯示面板的局部結構示意圖;
圖8為本發明實施例提供的一種顯示面板的第一顯示區的局部結構示意圖;
圖9為圖8中沿剖線FF′的一種剖面結構示意圖;
圖10為本發明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的