[發(fā)明專利]一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910363334.8 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN109972095B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭欽軍;申玉;楊峰;袁磊;薄勇 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | C23C14/30 | 分類號: | C23C14/30;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陳超 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 光學(xué)薄膜 損傷 閾值 大面 激光 薄膜 制備 裝置 | ||
1.一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,包括主控臺(1)、真空腔(2)、膜料盤(3)、膜料(4)、膜料激發(fā)源(5)、輔助源(6)、工件盤(7)、薄膜厚度控制系統(tǒng)(8)、控溫系統(tǒng)(9)、膜厚均勻性修正系統(tǒng)(10)、光學(xué)基片(11);其特征在于,還包括實(shí)時(shí)激光攔截裝置;
主控臺(1),置于真空腔(2)外,用于設(shè)置并實(shí)時(shí)顯示鍍膜時(shí)工藝參數(shù);
真空腔(2),用于提供光學(xué)鍍膜所需的真空環(huán)境;
膜料盤(3),置于真空腔內(nèi),用于放置膜料;
膜料(4),提供形成光學(xué)薄膜所需材料;
膜料激發(fā)源(5),置于真空腔(2)內(nèi),用于產(chǎn)生高能粒子(5-1)激發(fā)膜料盤(3)中的膜料(4);
輔助源(6),置于真空腔(2)內(nèi),發(fā)射高速離子以增加所述激發(fā)后的膜料在目標(biāo)方向的動能,并使其充分氧化;
工件盤(7),置于真空腔(2)內(nèi),用于固定待鍍膜的光學(xué)基片(11);
薄膜厚度控制系統(tǒng)(8),用于控制鍍膜過程中膜層厚度;
控溫系統(tǒng),置于真空腔(2)內(nèi),用于提供薄膜生長所需溫度環(huán)境;
實(shí)時(shí)激光攔截裝置,用于發(fā)射高能激光面陣,高能激光面陣能夠?qū)崟r(shí)清除真空腔中的雜質(zhì)顆粒和/或激發(fā)后的膜料中的雜質(zhì)顆粒,實(shí)現(xiàn)提純作用,以及增加激發(fā)后的膜料的原子活性,從而提高成膜化學(xué)計(jì)量比;
所述實(shí)時(shí)激光攔截裝置包括:激光攔截裝置控制臺(12-1)、激光器固定裝置(12-2)以及依次光學(xué)共軸設(shè)置的激光器(12-3)、激光面陣發(fā)生器(12-4)和激光能量勻化收集腔(12-5);
所述激光攔截裝置控制臺(12-1),用于設(shè)置所述激光器(12-3)工作參數(shù)并控制所述激光器(12-3)的工作狀態(tài);
所述激光面陣發(fā)生器(12-4),將從所述激光器(12-3)發(fā)射的高能激光束形成呈空間分布的激光面陣(12-7);
所述激光能量勻化收集腔(12-5),收集剩余激光;或?qū)⑹S嗉す馀c射入到所述激光能量勻化收集腔(12-5)表面的激光呈一定角度反回,進(jìn)而對激發(fā)的膜料繼續(xù)攔截,從而清除激發(fā)膜料以及真空腔中的雜質(zhì)顆粒;
所述激光面陣的傳輸方向與所述激發(fā)后的膜料的傳輸方向成一定夾角,使得激光面陣在沿被激發(fā)膜料和光學(xué)基片之間的方向傳輸形成激光攔截面, 以實(shí)時(shí)攔截激發(fā)后的膜料以及真空腔中的雜質(zhì)顆粒,實(shí)現(xiàn)提純;
或者,所述激光面陣(12-7)直接照射光學(xué)基片的靶面以實(shí)時(shí)攔截激發(fā)后的膜料以及真空腔中的雜質(zhì)顆粒,實(shí)現(xiàn)提純。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述激光器(12-3)數(shù)量為N臺,所述激光攔截裝置控制臺(12-1)還包括脈沖信號驅(qū)動器;
所述脈沖信號驅(qū)動器輸出N路驅(qū)動信號,N路驅(qū)動信號一一對應(yīng)控制N臺激光器的工作狀態(tài),N路驅(qū)動信號依次信號延遲,使得N臺激光器發(fā)射的激光形成時(shí)間分布攔截陣列;其中,所述N為正整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述激光面陣發(fā)生器(12-4)形成的激光面陣(12-7)的功率密度高于光學(xué)薄膜目標(biāo)損傷閾值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述控溫系統(tǒng)(9)通過照射所述光學(xué)基片(11),控制光學(xué)基片(11)的溫度,提供薄膜生長所需溫度環(huán)境;
或者,所述控溫系統(tǒng)(9)控制整個(gè)真空腔(2)的溫度,提供薄膜生長所需溫度環(huán)境。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述激光器的工作參數(shù)由該領(lǐng)域?qū)I(yè)人員依據(jù)目標(biāo)光學(xué)薄膜確定,所述工作參數(shù)包括波長、重復(fù)頻率和脈沖寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述實(shí)時(shí)激光攔截裝置置于真空腔(2)內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高光學(xué)薄膜損傷閾值的大面激光薄膜制備裝置,其特征在于,所述實(shí)時(shí)激光攔截裝置置于真空腔(2)外;
所述真空腔(2)還設(shè)置有激光窗口(13),所述激光攔截裝置發(fā)射的高能激光透過所述激光窗口(13)進(jìn)入或穿過所述真空腔(2)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





