[發明專利]一種鈹及其合金表面微弧氧化處理方法及裝置在審
| 申請號: | 201910362926.8 | 申請日: | 2019-04-30 | 
| 公開(公告)號: | CN109943875A | 公開(公告)日: | 2019-06-28 | 
| 發明(設計)人: | 王長青;薛風舉;王長峰;鐘聲;侯建;王靖;齊巖 | 申請(專利權)人: | 北京航天控制儀器研究所 | 
| 主分類號: | C25D11/34 | 分類號: | C25D11/34 | 
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 高志瑞 | 
| 地址: | 100854 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體電解氧化 微弧氧化處理 電源 合金表面 電解液 鈹合金 微弧氧化陶瓷膜 陰極 硅酸鹽電解液 無機鹽 蒸餾水清洗 陽極 表面陶瓷 均勻致密 氧化膜層 石墨相 烘干 去除 通電 取出 | ||
1.一種鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
將等離子體電解氧化電源的陽極與純鈹或鈹合金工件相連接,將等離子體電解氧化電源的陰極與石墨相連接,控制電解液溫度,電解液采用硅酸鹽電解液,控制等離子體電解氧化電源的電壓,通電時間為10~30min,取出,用蒸餾水清洗去除無機鹽,烘干,即使得純鈹或鈹合金的表面獲得微弧氧化陶瓷膜層。
2.根據權利要求1所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:所述電解液包括硅酸鈉、強堿、硼酸、過氧化氫和去離子水。
3.根據權利要求1所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:硅酸鈉為3g-10g,強堿為0.1g-1g,硼酸為1~3g,過氧化氫為2~10mL,去離子水為1000mL。
4.根據權利要求1所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:所述電解液的溫度為20℃-40℃。
5.根據權利要求2所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:所述的強堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
6.根據權利要求1所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:等離子體電解氧化電源的電壓控制在400-500V,純鈹工件或鈹合金工件的電流密度在20-50mA/cm2,微弧氧化處理過程中,同時進行電磁攪拌,攪拌速度為200-400rpm。
7.根據權利要求6所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理方法,其特征在于:通電時間控制在15-30分鐘。
8.一種鈹及其合金表面微弧氧化處理裝置,其特征在于包括:等離子體電解氧化電源、攪拌器、塑料槽體、石墨和純鈹工件或鈹合金工件;其中,
塑料槽體中盛放有電解溶液,攪拌器、石墨和純鈹或鈹合金工件設置于塑料槽體中,石墨與等離子體電解氧化電源的陰極相連接,純鈹工件或鈹合金工件與等離子體電解氧化電源的陽極相連接。
9.根據權利要求8所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理裝置,其特征在于:所述電解液包括硅酸鈉、強堿、硼酸、過氧化氫和去離子水;其中,硅酸鈉為3g-10g,強堿為0.1g-1g,硼酸為1~3g,過氧化氫為2~10mL,去離子水為1000mL。
10.根據權利要求8所述的鈹及其合金表面微弧氧化處理裝置,其特征在于:電解液采用硅酸鹽電解液,等離子體電解氧化電源的電壓400-500V,通電時間為10~30min,電解液的溫度為20℃-40℃,純鈹工件或鈹合金工件的電流密度在20-50mA/cm2,攪拌器的攪拌速度為200-400rpm。
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