[發明專利]一種電波暗室提高暗室性能的新型結構在審
申請號: | 201910362840.5 | 申請日: | 2019-04-30 |
公開(公告)號: | CN110231502A | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
發明(設計)人: | 王軍耀 | 申請(專利權)人: | 無錫敬仁電子材料科技有限公司 |
主分類號: | G01R1/18 | 分類號: | G01R1/18;G01R31/00 |
代理公司: | 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616 | 代理人: | 蔡奐 |
地址: | 214028 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 透波層 角錐 吸波 底座 電波暗室 屏蔽層 暗室 最大反射率 垂直入射 鐵氧體層 吸波材料 棱錐體 吸波體 隔層 尖劈 減小 側面 幫助 | ||
本發明公開了一種電波暗室提高暗室性能的新型結構,包括透波層、屏蔽層和吸波角錐底座;透波層的一側面與屏蔽層連接,透波層的另一側設置吸波角錐底座,吸波角錐底座上等間距的設有呈棱錐體形狀的尖劈吸波體,吸波角錐底座與所述透波層之間設置有鐵氧體層,吸波角錐底座不與透波層相接觸,鐵氧體層與屏蔽層之間設置有間隙,所述間隙的距離為8?18mm,所述間隙的距離以透波層作隔層。此種結構可幫助提高吸波材料垂直入射最大反射率,特別針對30MHz至1GHz低頻階段有特別的好處,電波暗室最關鍵的性能指標是NSA誤差,提高了吸波材料的垂直入射最大反射率,NSA的誤差會減小,暗室的性能提高30%。
技術領域
本發明涉及電波暗室改良技術領域,具體為一種電波暗室提高暗室性能的新型結構。
背景技術
電波暗室,是主要用于模擬開闊場,同時用于輻射無線電騷擾(EMI)和輻射敏感度(EMS)測量的密閉屏蔽室。電波暗室的尺寸和射頻吸波材料的選用主要由受試設備(EUT)的外行尺寸和測試要求確定,分1m法、3m法或10m法;電波暗室主要組成結構主要為屏蔽室、和吸波材料。屏蔽室由屏蔽殼體、屏蔽門、通風波導窗及各類電源濾波器等組成。根據用戶要求,屏蔽殼體可采用焊接式或拼裝式結構均可。吸波材料由,工作頻率范圍在30MHz~1000MHz的單層鐵氧體片,以及錐形含碳吸波材料構成,錐形含碳吸波材料是由聚氨脂泡沫塑料或發泡聚苯乙烯、發泡聚丙烯在碳膠溶液中滲透而成,具有較好的阻燃特性。
目前市場1米法,3米法,5米法,10米法電波暗室或微波暗室內吸波材料鐵氧體瓦均為暗室殼體內屏蔽層上直接鋪設鐵氧體瓦再鋪設吸波泡沫的一種結構,鐵氧體瓦與屏蔽層直接接觸,這種結構已經沿用幾十年之久,這種結構建成的暗室在低頻30MHZ-1GHZ略差,低頻的垂直入射最大反射損耗均比較小。
發明內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本發明提供了一種電波暗室提高暗室性能的新型結構,解決了現有電波暗室NSA誤差較大的問題。
(二)技術方案
為實現以上目的,本發明通過以下技術方案予以實現:一種電波暗室提高暗室性能的新型結構,包括透波層、屏蔽層和吸波角錐底座;所述透波層的一側面與所述屏蔽層連接,所述透波層的另一側設置所述吸波角錐底座,所述吸波角錐底座上等間距的設有呈棱錐體形狀的尖劈吸波體,所述吸波角錐底座與所述透波層之間設置有鐵氧體層,所述吸波角錐底座不與所述透波層相接觸,所述鐵氧體層與所述屏蔽層之間設置有間隙,所述間隙的距離為8-18mm,所述間隙的距離以透波層作隔層。
作為本發明的進一步優選技術方案,所述透波層的側面通過膠水與所述屏蔽層粘接;或者,通過螺釘穿過透波層與屏蔽層,所述螺釘與屏蔽層后的木板固定,所述木板固定在主屏蔽殼體上。
作為本發明的進一步優選技術方案,所述透波層的厚度為8-18mm。
(三)有益效果
本發明提供了一種電波暗室提高暗室性能的新型結構,具備以下有益效果:該結構包括透波層、屏蔽層和吸波角錐底座,吸波角錐底座與透波層之間設置鐵氧體層,鐵氧體層設置在吸波角錐底座遠離吸波的一側面與透波層和鐵氧體層之間成一體式結構,此種結構可幫助提高吸波材料(吸波角錐+鐵氧體瓦)垂直入射最大反射率,特別針對30MHz至1GHz低頻階段有特別的好處,電波暗室最關鍵的性能指標是NSA(歸一化場地衰減)誤差,提高了吸波材料的垂直入射最大反射率,NSA的誤差會減小,暗室的性能提高30%。例如,未加裝透波材料的暗室在30MHz至100MHz垂直入射最大反射率大于-18dB,100MHz至1GHz垂直入射最大反射率大于-20dB,加裝透波層后30MHz至100MHz垂直入射最大反射率小于-18dB,100MHz至1GHz垂直入射最大反射率小于-20dB,透過測試在30MHz至40GHz頻率范圍內垂直入射最大反射率均優于未加裝透波層的暗室。
附圖說明
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