[發明專利]一種半導體晶體生長裝置和方法

在審

• 申請號: 201910362435.3
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN111850675A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 王剛;沈偉民
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體晶體生長裝置，其特征在于，包括：

爐體；

坩堝，所述坩堝設置在所述爐體內、用以容納硅熔體；

提拉裝置，所述提拉裝置用以從所述硅熔體內提拉出硅晶棒；以及

加熱裝置，所述加熱裝置用以在所述提拉裝置從所述硅熔體內提拉出硅晶棒的過程中對所述硅晶棒的外表面進行加熱。

2.根據權利要求1所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括微波加熱裝置。

3.根據權利要求1所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，還包括導流筒，所述導流筒呈桶狀并繞所述硅晶棒四周設置，用以對從所述爐體頂部輸入的氬氣進行整流并調整所述硅晶棒和所述硅熔體液面之間的熱場分布。

4.根據權利要求3所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱裝置設置在所述導流筒內側。

5.根據權利要求1所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱裝置設置在所述硅晶棒溫度1000-1300℃的位置處。

6.根據權利要求2所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述微波加熱裝置的微波頻率的范圍為0.1GHz-30GHz。

7.根據權利要求2所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述微波加熱裝置的功率范圍為1Kw-10Kw。

8.根據權利要求1所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括在所述硅晶棒直徑方向相對設置的至少兩塊加熱模塊。

9.根據權利要求8所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱模塊設置為圓板形或繞所述硅晶錠的圓周方向延伸的圓弧形。

10.根據權利要求8所述的半導體晶體生長裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括繞所述硅晶棒圓周設置的第一加熱模塊、第二加熱模塊、第三加熱模塊和第四加熱模塊；其中所述第一加熱模塊和所述第二加熱模塊沿著所述硅晶棒的第一直徑方向相對設置，所述第三加熱模塊和所述第四加熱模塊沿著所述硅晶棒的第二直徑方向相對設置，所述第一直徑方向和所述第二直徑方向交叉設置。

11.一種半導體晶體生長方法，其特征在于，包括：

獲取硅熔體；

從所述硅熔體中提拉出硅晶棒，其中，在提拉過程中對所述硅晶棒的外表面進行加熱。

12.如權利要求11所述的半導體晶體生長方法，其特征在于，采用微波加熱的方式對所述硅晶棒的外表面進行加熱。

13.如權利要求11所述的半導體晶體生長方法，其特征在于，在所述硅晶棒溫度1000-1300℃的位置處對所述硅晶棒的外表面進行加熱。

14.如權利要求12所述的半導體晶體生長方法，其特征在于，還包括沿著所述硅晶棒的圓周方向，調整所述微波加熱的功率分布。