[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201910362389.7 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN110416261A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 李德重;鄭知泳;金雅瓏 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張曉;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素電極 中間層 輔助電極 顯示設備 對電極 像素限定層 電源電壓 外圍區域 顯示區域 電連接 供應線 無機絕緣材料 連接電極層 上表面 分隔 基板 暴露 覆蓋 | ||
公開了一種顯示設備。所述顯示設備包括:基板,包括顯示區域和外圍區域;像素電極,位于顯示區域中并且彼此分隔開;像素限定層,暴露像素電極的上表面,覆蓋像素電極的邊緣,并且包括無機絕緣材料;輔助電極,位于像素限定層上;第一中間層,位于像素電極之中的第一像素電極上;第一對電極,位于第一中間層上;第二中間層,位于像素電極之中的第二像素電極上,第二像素電極與第一像素電極相鄰;第二對電極,位于第二中間層上,并且經由輔助電極電連接至第一對電極;電源電壓供應線,位于外圍區域中;以及連接電極層,將輔助電極電連接至電源電壓供應線。
于2018年4月30日在韓國知識產權局提交并且名稱為“顯示設備”的第10-2018-0050161號韓國專利申請通過引用全部包含于此。
技術領域
一個或更多個實施例涉及一種顯示設備。
背景技術
有機發光顯示設備是一種每個像素包括有機發光二極管的顯示設備。有機發光二極管包括像素電極、發光層以及對電極。
對于實現全彩色的有機發光顯示設備,在每個像素區域中發射不同顏色的光。可以通過使用沉積掩模來形成在多個像素中的每個像素中與發光層一體地形成的對電極。隨著有機發光顯示設備的分辨率逐漸變得越高,沉積工藝中使用的掩模的開口狹縫的寬度變得越窄,并且開口狹縫的寬度的分布需要逐漸減小。此外,為了制造高分辨率有機發光顯示設備,需要減少或消除陰影效應。因此,可以使用一種利用附著到掩模的基板執行沉積工藝的方法。
發明內容
根據一個或者更多個實施例,顯示設備包括:基板,包括顯示區域和位于顯示區域外側的外圍區域;像素電極,位于顯示區域中并且彼此分隔開;像素限定層,暴露像素電極的上表面中的每個的一部分,覆蓋像素電極的邊緣,并且包括無機絕緣材料;輔助電極,位于像素限定層上;第一中間層,位于像素電極之中的第一像素電極上;第一對電極,位于第一中間層上;第二中間層,位于來自像素電極之中的第二像素電極上,第二像素電極與第一像素電極相鄰;第二對電極,位于第二中間層上,并且經由輔助電極電連接至第一對電極;電源電壓供應線,位于外圍區域中;以及連接電極層,將輔助電極電連接至電源電壓供應線。
在平面圖中,電源電壓供應線可以與輔助電極分隔開并且圍繞輔助電極的一部分。
連接電極層可以位于輔助電極和電源電壓供應線上。
輔助電極可以與像素限定層的上表面直接接觸。
所述顯示設備還可以包括:導電保護層,覆蓋第一對電極和第二對電極中的至少一個對電極。
導電保護層的寬度可以大于第一對電極和第二對電極中的至少一個對電極的寬度,并且導電保護層可以與所述至少一個對電極和輔助電極直接接觸。
連接電極層的材料可以與導電保護層的材料相同。
導電保護層可以包括透明導電氧化物。
所述顯示設備還可以包括:絕緣保護層,覆蓋第一對電極和第二對電極中的至少一個對電極。
絕緣保護層可以包括無機絕緣材料。
所述顯示設備還可以包括:絕緣層,覆蓋連接電極層,其中,絕緣層包括與絕緣保護層的材料相同的材料。
根據一個或者更多個實施例,顯示設備包括:像素電極,布置在顯示區域中并且彼此分隔開;像素限定層,暴露像素電極的上表面中的每個的一部分,覆蓋像素電極的邊緣,并且包括無機絕緣材料;輔助電極,位于像素限定層上;第一中間層和第一對電極,都位于像素電極之中的第一像素電極上;第一導電保護層,位于第一對電極上;第二中間層和第二對電極,都位于像素電極之中的第二像素電極上;以及第二導電保護層,位于第二對電極上。
輔助電極可以覆蓋顯示區域,并且包括對應于像素電極的孔。
輔助電極可以僅位于像素限定層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





