[發明專利]有機發光二極管顯示面板及其制造方法、顯示設備有效
| 申請號: | 201910361688.9 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN110085644B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 彭利滿;劉祺;劉亮亮;白妮妮;張倩倩;薛智勇;楊津;吳巖;楊凡;劉淑杰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 佘鵬;閆小龍 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 設備 | ||
本發明提供了一種OLED顯示面板,包括:襯底;形成在襯底上的膜層結構,其跨襯底的上表面分布以形成呈陣列布置的多個像素,每個像素包括電容器和多個薄膜晶體管,其中,所述膜層結構包括第一柵極層、第二柵極層和位于所述第一柵極層和所述第二柵極層之間的柵極絕緣層,并且其中,該OLED顯示面板沿著從其顯示區域的中心到其顯示區域的邊緣的方向分成正常像素區域和過渡像素區域,所述正常像素區域中像素的電容器的電容小于所述過渡像素區域中像素的電容器的電容。本發明還涉及用于制造該OLED顯示面板的制造方法,以及包括該OLED顯示面板的顯示設備。
技術領域
本發明一般涉及顯示領域,尤其涉及一種有機發光二極管(下文中簡稱為OLED)顯示面板、這種OLED顯示面板的制作方法,以及還涉及包含這種OLED顯示面板的顯示設備。
背景技術
OLED顯示技術是一種利用有機功能材料在電流的驅動下產生的可逆變色來實現顯示的技術。OLED顯示器具有超輕、超薄、高亮度、大視角、低電壓、低功耗、快響應、高清晰度、抗震、可彎曲、低成本、工藝簡單、使用原材料少、發光效率高和溫度范圍寬等優點,被認為是最有發展前景的新一代顯示技術。
為了更好地適應環境狀況和使用要求,OLED顯示面板在外形上的要求也逐步提升,隨之產生了不規則形狀的異形OLED顯示面板,并且已經被成功地應用在手機、手表、手環等產品中。常見的異形OLED顯示面板形狀有圓形、弧形等。為了將OLED顯示面板制成所需的不規則形狀,OLED顯示面板的顯示區域邊緣處的像素按照邊界的形狀被制成階梯狀,從而形成了鋸齒狀邊緣。因此,在OLED顯示面板的顯示區域的邊緣處,未分布上像素的地方在顯示時是完全黑的區域,與具有像素從而正常顯示的地方形成了鮮明的亮度顏色差異,使得顯示區域的鋸齒狀邊緣可以被人眼識別到,從而導致異形OLED顯示面板出現鋸齒效應,降低了視覺體驗效果。
發明內容
根據本發明的一個方面,提供了一種有機發光二極管顯示面板,包括:襯底;膜層結構,其形成在所述襯底上,所述膜層結構跨所述襯底的上表面分布以形成呈陣列布置的多個像素,每個像素包括電容器和多個薄膜晶體管,其中,所述膜層結構包括第一柵極層、第二柵極層和位于所述第一柵極層和所述第二柵極層之間的柵極絕緣層,所述第一柵極層被圖案化以形成各像素的薄膜晶體管的相應柵極以及各像素的電容器的相應第一極板,所述第二柵極層被圖案化以形成各像素的電容器的相應第二極板,所述柵極絕緣層被圖案化以形成各像素的電容器的相應電容介質層;其中,所述有機發光二極管顯示面板沿著從其顯示區域的中心到其顯示區域的邊緣的方向分成正常像素區域和過渡像素區域,所述正常像素區域中像素的電容器的電容小于所述過渡像素區域中像素的電容器的電容。
在一個實施例中,所述過渡像素區域沿著所述方向被分成至少兩個次級過渡像素區域,在所述正常像素區域和所述至少兩個次級過渡像素區域中,位于不同像素區域中的像素的電容器具有不同的電容,并且像素區域離所述邊緣越近,所述像素區域中的像素的電容器的電容越大。
在一個實施例中,所述柵極絕緣層構造成在不同像素區域中具有不同的厚度,并且像素區域離所述邊緣越近,所述柵極絕緣層的厚度越小。在一個實施例中,所述柵極絕緣層構造成在不同像素區域中由不同的材料形成。在一個實施例中,所述柵極絕緣層構造成在不同像素區域中進行不同的摻雜。
在一個實施例中,沿著所述方向,所述過渡像素區域的寬度在一個像素至三個像素的范圍中。在一個實施例中,沿著所述方向,所述次級過渡像素區域的寬度在一個像素至三個像素的范圍中。在一個實施例中,沿著所述方向,各個次級過渡像素區域具有相同的寬度。此外,在一個實施例中,沿著所述方向,所述次級過渡像素區域的寬度逐漸減小。
在一個實施例中,所述襯底是玻璃襯底或者柔性襯底。
在一個實施例中,所述柵極絕緣層的厚度為1200埃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





