[發明專利]智能功率模塊和電器設備有效
| 申請號: | 201910359547.3 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN109936282B | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 馮宇翔 | 申請(專利權)人: | 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08;H02M7/5387 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張潤 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 功率 模塊 電器設備 | ||
1.一種智能功率模塊,其特征在于,包括逆變電路、溫度傳感器和驅動芯片,所述溫度傳感器用于檢測所述智能功率模塊的溫度,所述驅動芯片包括自舉電路和用于驅動所述逆變電路工作的驅動電路,其中,所述自舉電路包括:
至少一個自舉開關管,每個自舉開關管的源極連接至所述智能功率模塊的低壓區供電正端,漏極連接至所述智能功率模塊的一個高壓區供電正端;
與所述至少一個自舉開關管一一對應的至少一個比較電路,每個比較電路的第一輸入端與對應的自舉開關管的源極相連,每個比較電路的第二輸入端與對應的自舉開關管的漏極相連,每個比較電路均用于比較所述第一輸入端的輸入信號和所述第二輸入端的輸入信號之間的關系,并輸出比較結果;
與所述至少一個比較電路一一對應的至少一個控制電路,每個控制電路均分別與所述溫度傳感器、對應的比較電路的輸出端和對應的自舉開關管的柵極相連,用于根據所述智能功率模塊的溫度、對應的比較電路輸出的比較結果控制對應的自舉開關管關斷或者開通;
其中,每個控制電路均用于:
在所述智能功率模塊的溫度小于預設溫度,且對應的比較電路的第二輸入端輸入的電壓與第一輸入端輸入的電壓之間的差值大于第一預設差值時,控制對應的自舉開關管關斷;
每個控制電路均還用于:
在所述智能功率模塊的溫度大于或者等于所述預設溫度,且對應的比較電路的第二輸入端輸入的電壓與第一輸入端輸入的電壓之間的差值大于第二預設差值時,控制對應的自舉開關管關斷,其中,所述第二預設差值小于所述第一預設差值。
2.如權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,還包括:
與所述至少一個自舉開關管一一對應的自舉電容,每個自舉電容的一端與對應的自舉開關管的漏極相連,另一端與對應的所述智能功率模塊的一個高壓區供電負端相連。
3.如權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,所述智能功率模塊包括三個自舉開關管、三個比較電路和三個控制電路。
4.如權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,
所述逆變電路包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管、第五IGBT管、第六IGBT管,所述第一IGBT管、所述第二IGBT管、所述第三IGBT管組成U相上橋臂、V相上橋臂、W相上橋臂,所述第四IGBT管、所述第五IGBT管、所述第六IGBT管組成U相下橋臂、V相下橋臂、W相下橋臂;
所述驅動電路包括第一驅動單元、第二驅動單元、第三驅動單元、第四驅動單元、第五驅動單元和第六驅動單元,所述第一驅動單元、所述第二驅動單元、所述第三驅動單元、所述第四驅動單元、所述第五驅動單元和所述第六驅動單元的輸入端分別作為所述U相上橋臂、所述V相上橋臂、所述W相上橋臂、所述U相下橋臂、所述V相下橋臂和所述W相下橋臂的輸入端,輸出端分別與所述第一IGBT管、所述第二IGBT管、所述第三IGBT管、所述第四IGBT管、所述第五IGBT管和所述第六IGBT管的柵極相連。
5.如權利要求4所述的智能功率模塊,其特征在于,所述逆變電路還包括對應所述第一IGBT管、所述第二IGBT管、所述第三IGBT管、所述第四IGBT管、所述第五IGBT管、所述第六IGBT管的第一反并聯二級管、第二反并聯二級管、第三反并聯二級管、第四反并聯二級管、第五反并聯二級管、第六反并聯二級管。
6.如權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,所述至少一個自舉開關管中的自舉開關管采用高壓DMOS管。
7.一種電器設備,其特征在于,包括如權利要求1-6中任一項所述的智能功率模塊。
8.如權利要求7所述的電器設備,其特征在于,所述電器設備為空調器。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





